場效應(yīng)管分結(jié)型、絕緣柵型兩大類。 TY00680002ARGQ－01N結(jié)型場效應(yīng)管(JFET)因有兩個PN結(jié)而得名；絕緣柵型場效應(yīng)管JGFET)則因柵極（閘極）與其他電極完全絕緣而得名。結(jié)型場效應(yīng)管分為N溝道和P溝道兩種；絕緣柵型場效應(yīng)管除有N溝道和P溝道之分外，還有增強(qiáng)型與耗盡型之分。場效應(yīng)管分類如圖8-1所示。

     目前在場效應(yīng)管中，應(yīng)用最為廣泛的是絕緣柵型場

場效應(yīng)管和復(fù)合晶體管效應(yīng)管，簡稱MOS管或MOSFET（即金屬一氧化物一半

導(dǎo)體場效應(yīng)管），此外還有PMOS、NMOS和VMOS功率場效應(yīng)管及VMOS功率模塊等。

   P溝道場效應(yīng)管的工作原理與N溝道場效應(yīng)管完全相同，只不過導(dǎo)電的載流子不同，供電電壓極性不同，這如同雙極型三極管有NPN型和PNP型一樣，對于結(jié)型場效應(yīng)管而言，漏極和源極可以互換。

     結(jié)型場效應(yīng)管柵源極間的電阻雖然可達(dá)10 7以上，但在某些場合仍不夠高。在高溫下，PN結(jié)的反向電流增大，柵一源極間的電阻會顯著下降：柵一源極間的PN結(jié)加正向電壓時，將出現(xiàn)較大的柵極（閘板）電流。而絕緣柵型場效應(yīng)管可以很好地解決這些問題。