場效應管和普通三極管一樣，UPSD3333DV-40T6可以用做開關或放大器，利用柵極的電壓信號，控制源極和漏極之間的電流。JFET和MOSFET使用的場合略有不同。JFET可用做模擬開關發(fā)信號放大器，特別是低噪聲的放大器，但很少用在數字電路中的邏輯運算及功率放大器中；MOSFET月途較廣，除一般的開關、信號放大器及功率放大器外，在數字電路及內存等大規(guī)模集成電路( VLSI)方面都是MOSFET的天下。

   場效應管應用在模擬信號放大器的設計方法和普通三極管類似。對應普通三極管的共射、共基和共集電三種接法，場效應管也有共源、共柵和共漏三種接法。漏極不能作為輸入端，柵極不能作為輸出端，與普通二極管集電極和基極的限制一樣。場效應管應該偏壓在飽和區(qū)（或恒流區(qū)），柵極的電信號疊加在原來的直流偏壓上，可造成輸出電流為的變化。

    偏壓電路

   由場效應管組成放大電路時，也要建立合適的靜態(tài)工作點Q，而且場效應管是電壓控制器件，因此需要有合適的柵一源偏置電壓。常用的直流偏置電路有兩種形式，即自偏壓電路和分壓式偏置電路。

    自偏壓電路

    場效應管放大器的自偏壓電路如圖8-16所示。其中，場效應管的柵極通過電阻Rg接地，源極通過電阻R接地。

     自偏壓電路靠漏極電流fD在源極電阻R上產生的電壓為柵一源極之間提供一個偏置電壓Uos，故稱為自偏壓電路。

     在靜態(tài)時，源極電位US=/DXR。由于柵極電流為零，故Rg上沒有電壓降，柵極電位UG=O，所以柵一源偏置電壓UCS=UG-US=-/DxR。自偏壓電路只遁用于結型場效應管或耗盡型MOS管。自偏壓電路不宜用于增強型MOS管，因為靜態(tài)時該電路不能使管子開啟(即/D=O)。

   增強型MOS管只有在柵一源電壓達到其開啟電壓UT時，才有漏極電流南產生，因此如圖8-16 (a)所示的自偏壓電路適合結型場效應管及耗盡型MOS管；而如圖8.16 (b)所示電路只適用于耗盡型MOS管，因為在柵一源電壓大于零、等于零和小于零的一定范圍內，耗盡型MOS管均能正常工作，N溝道結型場效應管在柵一源電壓大于零時不能正常工作。