絕緣柵雙極晶體管

     絕緣柵雙極晶體管（Insulated-Gate Bipolar Transistor，IGBT或IGT）綜合了晶體管和場效應(yīng)晶體管的優(yōu)點。

     (1) IGBT管的外形

     根據(jù)封裝的不同，IGBT -般為模壓樹脂密封的三端單體封裝型， VS-60EPU06PBF到小型表面貼裝都已形成系列。IGBT管有三個電極：柵極G、集電極C和發(fā)射極E。常見的絕緣柵雙極晶體管實物外形如圖8-25所示。

    圖8-25常見IGBT管外形

    (2) IGBT管的結(jié)構(gòu)和特性

   ①IGBT管內(nèi)部結(jié)構(gòu)斷面示意圖、等效電路及圖形符號如圖8-26所示。

   圖8-26  內(nèi)部結(jié)構(gòu)斷面示意圖、等效電路及圖形符號

   ②IGBT管的轉(zhuǎn)移特性和輸出特陛曲線如圖8-27所示。

   (a)轉(zhuǎn)移特性曲線    (b)輸出特性曲線

   圖8-27絕緣柵雙極晶體管的轉(zhuǎn)移特性曲線和輸出特性曲線