趕與UGE之間的關(guān)系稱為轉(zhuǎn)移特性，與MOSFET轉(zhuǎn)移特性類似。

     以UGE為參考變量時(shí)，fc與UCE之間的關(guān)系稱為輸出特性（伏安特性），絕緣柵雙極晶體管的輸出特性分為三個(gè)區(qū)域：VSC8115XYA-05-T正向阻斷區(qū)、有源區(qū)和飽和區(qū)。分別與三極管的截止區(qū)、放大區(qū)和飽和區(qū)相對(duì)應(yīng)（UCE<O時(shí)，絕緣柵雙極晶體管為反向阻斷工作狀態(tài)）。

     緣柵雙極晶閘管的主要參數(shù)如下：

     ①最大集一射極間電壓UCES：由內(nèi)部PNP晶體管的擊穿電壓確定。

     ②最大集電極電流：包括額定直流電流配和Ims脈寬最大電流/CP。

     ③最大集電極功耗PCM：在正常工作溫度下允許的最大功耗。

     ④開啟電壓UGE(th)絕緣柵雙極晶體管能實(shí)現(xiàn)電導(dǎo)調(diào)制，而導(dǎo)通的最低柵一射電壓隨溫

度的升高而略有下降，在+25℃時(shí)，UGE(th)的值一般為2～6V。

   IGBT的特性隨柵極驅(qū)動(dòng)條件的變化而變化，就像雙極型晶體管的開關(guān)特性和安全工作區(qū)隨基極驅(qū)動(dòng)而變化一樣。

     IGBT管的驅(qū)動(dòng)電路

     由于IGBT的柵一源間、柵一射間有數(shù)千皮法的電容，為快速建立驅(qū)動(dòng)電壓，要求驅(qū)動(dòng)電路輸出電阻小，使IGBT開通的驅(qū)動(dòng)電壓一般為15～20V，關(guān)斷時(shí)施加一定幅值的負(fù)驅(qū)動(dòng)電壓(一般取-5～-15V)育利于減小關(guān)斷時(shí)間和關(guān)斷損耗，另外，在柵極串聯(lián)一只低值電阻（數(shù)十歐左右）可以減小寄生振蕩。該電阻阻值應(yīng)隨被驅(qū)動(dòng)器件電流額定值的增大而減小。因此，為了使IGBT工作在最佳狀態(tài)，通常采用專用的驅(qū)動(dòng)集成電路。

     常用的驅(qū)動(dòng)集成電路有三菱公司的M579系列（如M57962L和M57959L）和富士公司的EXB系歹0（如EXB840、EXB841、EXB850和EXB851）。

     驅(qū)動(dòng)集成電路內(nèi)部具有飽和檢測和保護(hù)電路，當(dāng)發(fā)生過電流時(shí)能快速響應(yīng)，并快速關(guān)斷IGBT，并向外部電路給出故障信號(hào)。

     M57962L輸出的正驅(qū)動(dòng)電壓均為+15V左右，負(fù)驅(qū)動(dòng)電壓為-10V。M57962L驅(qū)動(dòng)IGBT的應(yīng)用電路如圖8-28所示。