光晶閘管( LAT)俗稱光控硅，WEDPN16M64V-133B2M它是一種利用光信號控制的開關(guān)器件，其伏安特性和普通晶閘管相似，只是用光觸發(fā)代替了電觸發(fā)。

    光晶閘管的內(nèi)部結(jié)構(gòu)、符號和外形如圖7-19示。

    從內(nèi)部結(jié)構(gòu)上看，光晶閘管與普通晶閘管基本相同，也是由PINIP2N2四層半導(dǎo)體疊合而成的，其中Ni和P2構(gòu)成的PN結(jié)J2相當(dāng)于一個光電二極管。不過，因為光晶閘管是用光信號觸發(fā)的，并不需要引出控制極，所以它是一個只有陽極(A)和陰極(K)的二端元件。另外，為了使J2結(jié)能接受光照，在光晶閘管的頂端開有一個玻璃窗。

   圖7-19光晶閘管的內(nèi)部結(jié)構(gòu)、符號和外形

   當(dāng)給光可控硅接上正向電壓（陽極為正、陰極為負(fù)）時，J2結(jié)處于反向偏置，因此整個光可控硅處于阻斷狀態(tài)。當(dāng)一定照度的光信號通過玻璃窗照射到J2處的光敏區(qū)時，在光能的激發(fā)下，J2附近產(chǎn)生大量的電子和空穴兩種載流子，它們在外電壓的作用下可以穿過J2阻擋層，使光可控硅從阻斷狀態(tài)變成導(dǎo)通狀態(tài)。

   在光晶閘管導(dǎo)通之后，即使去掉光信號，由于內(nèi)部的正反饋過程已經(jīng)形成，所以光晶閘管仍然處于導(dǎo)通狀態(tài)，這個特點和普通的晶閘管在觸發(fā)導(dǎo)通后即使去掉觸發(fā)信號，晶閘管仍然導(dǎo)通的情形是一樣的。要想使光晶閘管重新變成阻斷狀態(tài)，必須去掉陽極和陰極上所加的正向電壓。