場效應管分結(jié)型、絕緣柵型兩大類。WS128K3220G2UQ結(jié)型場效應管(JFET)因有兩個PN結(jié)而得名；絕緣柵型場效應管(JGFET)則因柵極（閘極）與其他電極完全絕緣而得名。結(jié)型場效應管分為N溝道和P溝道兩種；絕緣柵型場效應管除有N溝道和P溝道之分外，還有增強型與耗盡型之分。場效應管分類如圖8-1所示。

   目前在場效應管中，應用最為廣泛的是絕緣柵型場

場效應管和復合晶體管效應管，簡稱MOS管或MOSFET（即金屬一氧化物一半

導體場效應管），此外還有PMOS、NMOS和VMOS功率場效應管及VMOS功率模塊等。

     P溝道場效應管的工作原理與N溝道場效應管完全相同，只不過導電的載流子不同，供電電壓極性不同，這如同雙極型三極管有NPN型和PNP型一樣，對于結(jié)型場效應管而言，漏極和源極可以互換。

   結(jié)型場效應管柵源極間的電阻雖然可達10 7以上，但在某些場合仍不夠高。在高溫下，PN結(jié)的反向電流增大，柵一源極間的電阻會顯著下降：柵一源極間的PN結(jié)加正向電壓時，將出現(xiàn)較大的柵極（閘板）電流。而絕緣柵型場效應管可以很好地解決這些問題。

    場效應管的構(gòu)造、原理與特性

   場效應管和普通三極簪一樣都有三只引腳，控制引腳稱為柵極（Gate，簡稱G極）。柵極控制的導電溝一端稱為源極（Source，簡稱s極），另一端稱為漏極（Drain，簡稱D極），如圖8-2所示。