對各種電纜配置的磁場屏蔽性能進(jìn)行了測試和比較，測試裝置如圖2-26所示，測試結(jié) 2SA711果如圖2-27和圖2-28所示。頻率(50kHz)比所有試驗(yàn)電纜的屏蔽層截止頻率大5倍以上。

   圖2-27和圖2-28中所示電纜是圖2-26中所示的試驗(yàn)電纜L2。

   在圖2-27中，電路A～F的兩端都接地。它們的磁場衰減比圖2-28中只有一端接地的電路G～K更小。

   圖2-27中的電路A實(shí)質(zhì)上沒有提供磁場屏蔽。在這種情況下，在lMfl電阻器兩端實(shí)際測量的噪聲電壓是0. 8V。以電路A結(jié)構(gòu)中拾取的電壓作為參考，定義為OdB，用來比較其他所有電路的性能。在電路B中，屏蔽層一端接地，這樣對磁屏蔽沒有影響。屏蔽層輛端都接地的結(jié)構(gòu)C提供了一定的磁場防護(hù)，因?yàn)轭l率高于屏蔽層的截止頻率。如果不是因?yàn)殡娐穬?/span>端接地而形成接地回路，防護(hù)的效果會更好一些。磁場會感應(yīng)很大的噪聲電流進(jìn)入由電纜屏蔽層和兩個接地點(diǎn)組成的低阻抗接地回路。正如前一節(jié)中所提到的，屏蔽層噪聲電流會在屏蔽層中產(chǎn)生噪聲電壓。

   在電路D中使用雙絞線將會進(jìn)一步降低磁場噪聲，但是其效果被電路兩端接地形成的回路破壞。這個效果可以通過比較電路H和D的衰減清楚地看到。電路E中給雙絞線增加一端接地的屏蔽層沒有效果。F中屏蔽層兩端接地提供了額外的防護(hù)，因?yàn)榈妥杩蛊帘螌訌男?/span>號導(dǎo)線分流了一些磁感應(yīng)的接地回路電流。然而，一般情況下，因?yàn)榻拥鼗芈�，圖2-27中的電路均未提供較好的磁場防護(hù)。如果電路必須兩端接地，可以采用C或者F結(jié)構(gòu)。