對于磁場屏蔽，電路G有很大的改進，它通過同 2SA940軸電纜形成小的回路面積和沒有接地環(huán)路避免了破壞屏蔽。同軸電纜提供了一個小的回路面積，因為屏蔽可以用放置于其中心軸線上的等價導體來表示。這個有效的屏蔽位于中心導體的軸線上或其附近。

   可以預期電路H中的雙絞線會提供超過55dB的屏蔽，屏蔽減少是由于雙絞線未屏蔽和終端不平衡出現一些電場耦合（見4.1節(jié)）。這在電路I中可以看出，通過在雙絞線周圍放置一個屏蔽層把衰減增加到70dB。事實上電路G比I的衰減更好，說明在這種情況下，特別是同軸線比雙絞線對磁場呈現一個更小的回路面積。然而，在一般情況下這不一定正確。對于H或I電路中的雙絞線，增加每單位長度的匝數將會減少耦合。一般來說，對于低頻磁屏蔽電路I優(yōu)于G，因為在電路I中屏蔽層也不是一根信號線。

   如電路J中屏蔽兩端接地使屏蔽效果略有下降。這種下降是因為在接地環(huán)路中由屏蔽層形成的高屏蔽電流在兩個中心導體上感應不相等的電壓，電路K提供了比I更好的屏蔽，因為它融合了同軸線G和雙絞線I的特征。通常情況下，電路K并不是理想的，因為羼礴層上產生的任何噪聲電壓或噪聲電流可能流向信號導線，它總是要比把屏蔽層和信號線f~41J -點上效果要更好一些。屏蔽層的噪聲電流不從這一點流過信號線到地。

   請記住這些實驗結果只是對相對較低頻率(50kHz)的磁場屏蔽，并且試驗配置中電纜兩端之間的接地電位沒有差異。