在圖11-24(b)中也注意到兩個(gè)接地噪聲電壓是由瞬態(tài)電源電流產(chǎn)生的，但它們極性相反，A15218而且包含IC的接地平面部分兩端的凈電壓是零。因此，連接到板的任何電纜的共模輻射也將顯著減小。

   因此，在一個(gè)IC上用兩個(gè)去耦電容顯著地減小了由瞬態(tài)電源電流所導(dǎo)致的共模輻射和差模輻射。為了再減小相同量的輻射，需要額外的兩個(gè)電容，這樣將使總電容數(shù)為4。為了再減小相同的輻射量將再需要額外的四個(gè)電容，這將使總數(shù)達(dá)到8個(gè)電容，以此類(lèi)推。每次電容數(shù)量必須翻倍。

   那么，哪里是最大的投資回報(bào)呢？很清楚，回報(bào)來(lái)自第二個(gè)電容的增加。這個(gè)結(jié)果導(dǎo)致一個(gè)問(wèn)題，為什么曾經(jīng)用少于兩個(gè)電容去給一個(gè)IC去耦，是因?yàn)橛媚敲葱〉某杀灸芴峁┤绱硕?/span>的改進(jìn)嗎？

   上面的討論導(dǎo)致有關(guān)數(shù)字IC去耦的下述建議：

   ·在一個(gè)DIP上最少用兩個(gè)電容，將電容接在封裝的兩端。

   ·在一個(gè)小的方形IC封裝（例如四方扁平封裝）上最少用四個(gè)電容，四個(gè)邊每個(gè)邊接一個(gè)電容。

   ·產(chǎn)生大的瞬態(tài)電源電流的許多大型IC(例如，微處理器)通常需要許多的去耦電容（在 一堂情況下，電容數(shù)量是幾百個(gè)）。要單獨(dú)分析這些IC的去耦要求。

   另外，如上面和11.4節(jié)所討論的有效去耦將使VCC對(duì)地噪聲電壓的幅度最小化，這將減小對(duì)VcC總線的干擾，且顯著減小由于將這些噪聲耦合到電路板上的其他IC嗍薩生的輻射。