去耦電容必須提供高頻電流；因此，他們應(yīng)該是低電感的高頻電容。因為這個原因，多層陶瓷電容更好。

   為了低頻時有效去耦（低于去耦網(wǎng)絡(luò)的諧振頻率），總的去耦電容必須滿足以下兩個要求：

   (1)總電容必須足夠大以在AAT3218IGV-1.8-T1關(guān)注的最低頻率處具有低于目標阻抗的阻抗值（見11.4.5節(jié)）；

   (2)當保持電源電壓在要求的誤差之內(nèi)時，電容必須足夠大以提供IC切換時所需的瞬態(tài)電流。

   其中dV是發(fā)生在時間dt內(nèi)，由電流瞬態(tài)值dI所產(chǎn)生容許的電源電壓的瞬態(tài)電壓降。例如，如果一個IC2ns內(nèi)需要500mA的瞬態(tài)電流，且希望限制電源電壓的瞬態(tài)值小于0.1V，則電容必須至少0. OlluF。

   如前所述，只是去耦網(wǎng)絡(luò)的低頻有效性受電容值的影響，而高頻特性只是由所驅(qū)動的電感值多低所決定。電感是由用多少電容所決定，且電感與每個電容相串聯(lián)。一個多層SMT電容的內(nèi)電感主要由其封裝體積所決定。一個1206SMT封裝電容將是一個0603電容電感的大約兩倍。1206電容器有約1. 2nH的電感，而0603電容器有約0.6nH的電感。

   因此，選擇去耦電容的一個好方法是實際應(yīng)用最小的封裝體積，然后在這個封裝體積內(nèi)用可用的最大值的電容。選擇一個較小值的電容對于高頻特性沒有改善，但它會使低頻有效性降低。