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差模輻射

發(fā)布時(shí)間:2014/4/18 21:10:02 訪問次數(shù):1106

   差模輻射被模擬為一個(gè)小環(huán)形天線。HEF4053BT對(duì)于一個(gè)面積為A的小環(huán)路,載有電流Idm,在遠(yuǎn)場中距離為r處,自由空間中測(cè)得的電場E的幅度等于(Kraus and Marhefka,2002,p.199,Eq.8)其中E的單位是Vlm,廠的單位是Hz,A的單位是m2,Idm的單位是A,r的單位是m,口是觀察點(diǎn)和環(huán)路平面垂線間的夾角。

   一個(gè)周長小于四分之一波長的小環(huán)中電流的相位處處都相同。對(duì)于較大的環(huán),電流不再處處同相,因此,一些電流對(duì)于總的發(fā)射可能是減小而不是增加。

    如圖12-3所示,自由空間的一個(gè)小環(huán)天線方向圖是一個(gè)圓環(huán)體(面包圈形狀)。最大輻射來自環(huán)的邊緣并且出現(xiàn)在環(huán)平面上。零輻射出現(xiàn)在環(huán)平面的法線方向上。如圖12-3所示,因為電場是極化在環(huán)平面上,最大電場將被一個(gè)極化方向相同的接收天線所檢測(cè)到。

        

   圖12 -3-個(gè)小環(huán)天線自由空間的輻射方向圖

   當(dāng)環(huán)的周長增加超過四分之一波長,圖12-3的輻射方向圖不再適用。對(duì)于周長等于一個(gè)波長的環(huán),輻射方向圖將旋轉(zhuǎn)90。使最大輻射出現(xiàn)在環(huán)平面的法線方向。因此,小環(huán)的霉輻射方向成為大環(huán)的最大輻射方向。

   雖然式(12-1)是由圓環(huán)推導(dǎo)而來的,但因?yàn)樾…h(huán)輻射的幅度和方向圖與環(huán)的形狀無關(guān),而只依賴于環(huán)的面積(Kraus和Marhefka,2002,p.212),所以它可應(yīng)用于任何平面環(huán)。無論環(huán)的形狀如何,所有相同面積的小環(huán)輻射相同。    

    第一項(xiàng)是一個(gè)描述媒質(zhì)特性的常數(shù)——該公式中是自由空間。第二項(xiàng)定義了輻射源的特性,即此環(huán)路。第三項(xiàng)表示場從源傳播過來的延遲。最后一項(xiàng)描述了測(cè)量點(diǎn)相對(duì)于環(huán)平面垂線的角度方向,即圖12-3中偏離Z軸的角度。

   式(12-1)是對(duì)于一個(gè)小環(huán)位于自由空間,周圍沒有反射面的情況。然而,大部分電子產(chǎn)品輻射的EMC測(cè)量是在地平面上的開闊場地進(jìn)行的,而不是在自由空間。大地提供了一個(gè)必須考慮的反射面。這個(gè)反射地面可增大測(cè)量的發(fā)射6dB之多(或2倍)?紤]到這個(gè)反射,式(12-1)必須乘以系數(shù)2。

   差模輻射被模擬為一個(gè)小環(huán)形天線。HEF4053BT對(duì)于一個(gè)面積為A的小環(huán)路,載有電流Idm,在遠(yuǎn)場中距離為r處,自由空間中測(cè)得的電場E的幅度等于(Kraus and Marhefka,2002,p.199,Eq.8)其中E的單位是Vlm,廠的單位是Hz,A的單位是m2,Idm的單位是A,r的單位是m,口是觀察點(diǎn)和環(huán)路平面垂線間的夾角。

   一個(gè)周長小于四分之一波長的小環(huán)中電流的相位處處都相同。對(duì)于較大的環(huán),電流不再處處同相,因此,一些電流對(duì)于總的發(fā)射可能是減小而不是增加。

    如圖12-3所示,自由空間的一個(gè)小環(huán)天線方向圖是一個(gè)圓環(huán)體(面包圈形狀)。最大輻射來自環(huán)的邊緣并且出現(xiàn)在環(huán)平面上。零輻射出現(xiàn)在環(huán)平面的法線方向上。如圖12-3所示,因為電場是極化在環(huán)平面上,最大電場將被一個(gè)極化方向相同的接收天線所檢測(cè)到。

        

   圖12 -3-個(gè)小環(huán)天線自由空間的輻射方向圖

   當(dāng)環(huán)的周長增加超過四分之一波長,圖12-3的輻射方向圖不再適用。對(duì)于周長等于一個(gè)波長的環(huán),輻射方向圖將旋轉(zhuǎn)90。使最大輻射出現(xiàn)在環(huán)平面的法線方向。因此,小環(huán)的霉輻射方向成為大環(huán)的最大輻射方向。

   雖然式(12-1)是由圓環(huán)推導(dǎo)而來的,但因?yàn)樾…h(huán)輻射的幅度和方向圖與環(huán)的形狀無關(guān),而只依賴于環(huán)的面積(Kraus和Marhefka,2002,p.212),所以它可應(yīng)用于任何平面環(huán)。無論環(huán)的形狀如何,所有相同面積的小環(huán)輻射相同。    

    第一項(xiàng)是一個(gè)描述媒質(zhì)特性的常數(shù)——該公式中是自由空間。第二項(xiàng)定義了輻射源的特性,即此環(huán)路。第三項(xiàng)表示場從源傳播過來的延遲。最后一項(xiàng)描述了測(cè)量點(diǎn)相對(duì)于環(huán)平面垂線的角度方向,即圖12-3中偏離Z軸的角度。

   式(12-1)是對(duì)于一個(gè)小環(huán)位于自由空間,周圍沒有反射面的情況。然而,大部分電子產(chǎn)品輻射的EMC測(cè)量是在地平面上的開闊場地進(jìn)行的,而不是在自由空間。大地提供了一個(gè)必須考慮的反射面。這個(gè)反射地面可增大測(cè)量的發(fā)射6dB之多(或2倍)?紤]到這個(gè)反射,式(12-1)必須乘以系數(shù)2。

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