數(shù)據(jù)存儲器的擴展
發(fā)布時間:2014/6/4 20:39:17 訪問次數(shù):1501
其地址線和數(shù)據(jù)線的連接和擴展片外ROM時相同,并且兩者是
公用的,只是讀寫選通信號不同。HEF4053BT現(xiàn)在應采用控制線RD和WR,而不是擴展片外ROM時的PSEN。
RAM芯片有靜態(tài)和動態(tài)之分,在一般微機控制系統(tǒng)中,由于容量不大,常用靜態(tài)RAM。
RAM的輸入控制,一般包括片選端CS和讀寫控制端。讀寫控制有雙輸入的,則使用單片機的RD和WR分別與片外RAM的兩個讀寫輸入端相接即可;有的只用一個輸入作讀寫控制,則選用RD或WR之一與片外RAM的讀寫輸入端相接即可。如對2128RAM,讀寫控制端為WE,當WE為1時,為讀操作;當WE為O時,為寫操作,則可用WE線與之相連即可完成讀寫控制。
圖3-19是外擴1片6116靜態(tài)RAM的連接圖。6116的容量是2Kx8位。片選信號CS用譯碼法產生,二一四譯碼器尚有3個輸出端沒有用,需要時還可以再外擴3片6116,使外擴的容量達到8KB。如圖3-19所示6116芯片的基本地址范圍是8000~87FFH,重疊地址范圍為8000H~BFFFH。6116的OE為讀選通端,WE為寫選通端。
當CS =0,WE=1,OE =0時,為RAM讀操作;當CS=O,WE =0,OE=1時,為RAM寫操作。故用單片機的RD、WR分別和存儲器芯片的OE、WE相連即可完成讀寫控制。
8051系統(tǒng)對于外部RAM地址沒有什么特別的要求,即不要求必須包含什么特別的地址,完全可以由系統(tǒng)設計人員來安排。一個MCS-51單片機系統(tǒng),也可以經過適當?shù)倪B接,使得外部程序存儲器及數(shù)據(jù)存儲器合并為一個公共的外部存儲器,即存放程序也存放數(shù)據(jù),現(xiàn)在有些單片機開發(fā)系統(tǒng)就是這樣處理的。但這樣連接后,尋址范圍就只有64KB,而不是2x4KB了。
其地址線和數(shù)據(jù)線的連接和擴展片外ROM時相同,并且兩者是
公用的,只是讀寫選通信號不同。HEF4053BT現(xiàn)在應采用控制線RD和WR,而不是擴展片外ROM時的PSEN。
RAM芯片有靜態(tài)和動態(tài)之分,在一般微機控制系統(tǒng)中,由于容量不大,常用靜態(tài)RAM。
RAM的輸入控制,一般包括片選端CS和讀寫控制端。讀寫控制有雙輸入的,則使用單片機的RD和WR分別與片外RAM的兩個讀寫輸入端相接即可;有的只用一個輸入作讀寫控制,則選用RD或WR之一與片外RAM的讀寫輸入端相接即可。如對2128RAM,讀寫控制端為WE,當WE為1時,為讀操作;當WE為O時,為寫操作,則可用WE線與之相連即可完成讀寫控制。
圖3-19是外擴1片6116靜態(tài)RAM的連接圖。6116的容量是2Kx8位。片選信號CS用譯碼法產生,二一四譯碼器尚有3個輸出端沒有用,需要時還可以再外擴3片6116,使外擴的容量達到8KB。如圖3-19所示6116芯片的基本地址范圍是8000~87FFH,重疊地址范圍為8000H~BFFFH。6116的OE為讀選通端,WE為寫選通端。
當CS =0,WE=1,OE =0時,為RAM讀操作;當CS=O,WE =0,OE=1時,為RAM寫操作。故用單片機的RD、WR分別和存儲器芯片的OE、WE相連即可完成讀寫控制。
8051系統(tǒng)對于外部RAM地址沒有什么特別的要求,即不要求必須包含什么特別的地址,完全可以由系統(tǒng)設計人員來安排。一個MCS-51單片機系統(tǒng),也可以經過適當?shù)倪B接,使得外部程序存儲器及數(shù)據(jù)存儲器合并為一個公共的外部存儲器,即存放程序也存放數(shù)據(jù),現(xiàn)在有些單片機開發(fā)系統(tǒng)就是這樣處理的。但這樣連接后,尋址范圍就只有64KB,而不是2x4KB了。
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