圖12-13(d)中，屏蔽層通過一個小辮終止于外殼。共模電流流動的分析與圖12-13(c)是相同的，HEF4520BP電流到達屏蔽層內(nèi)表面底部的點(圖12-13 (d)中的點A)。在點A，有一個電流的分流，電流I。的一部分作為I3沿屏蔽層外表面向上，流經(jīng)屏蔽層外表面和外殼間的寄生電容返回外殼，剩余的電流I4流經(jīng)小辮返回外殼。

   中心導(dǎo)線上的電流Il祁屏蔽層內(nèi)表面上的電流工。大小相等、方向相反將抵消，留下屏蔽層外表面上的電流I3作為電纜上的凈余共模電流。將I3代入式(12-7)可確定出輻射發(fā)射。小辮越長，阻抗將越高，電流I3和輻射將越大。小辮的長度是可以用于調(diào)整這種結(jié)構(gòu)輻射發(fā)射的一個有效的變阻器。因為對任何用小辮終止的電纜屏蔽層而言，電流的分流將出現(xiàn)在點A，我們可以斷定任何用小辮終止的屏蔽層必然產(chǎn)生輻射，只是輻射多少的問題。

   從圖12-13(d)可注意到涉及屏蔽層外部的電流通路是電容性的，而涉及小辮的電流通路是電感性的。因此，如電纜中的共模電流是方波而不是正弦波，高頻諧波將選擇羼蔽層外表面的路徑產(chǎn)生輻射，而低頻諧波將選擇涉及小辮的路徑且不產(chǎn)生輻射。   

   代替終止于外殼，圖12-13(e)表示屏蔽層終止于PCB電路地的情況。應(yīng)該記住屏蔽電纜上的屏蔽層是沒有屏蔽的。因此，共模噪聲電壓V。。激勵屏蔽層，驅(qū)動共模電流。到屏蔽層。

   則屏蔽層于是正如圖12-13(a)中非屏蔽電纜的情況一樣輻射。圖12-13(e)所示的情況中，因為屏蔽層輻射，所以甚至不需要中心導(dǎo)線。如果測量電纜上的共模電流，存在不存在中心導(dǎo)線。

   雖然電纜屏蔽層應(yīng)終止于外殼(圖12-13(b》而不應(yīng)是PCB的地圖12-13，但在PCB上而非外殼上安裝I/O連接器具有經(jīng)濟上的優(yōu)點。然而，為了有效，連接器的背后仍然必須與外殼360。連接。圖12-14中表示把連接器安裝在PCB上的一個方法，當(dāng)PCB裝在外殼里時，連接器的背面要用一個電磁干擾襯墊或金屬指形彈簧片被擰到外殼上，以使其360。連接。

    圖12 -14安裝在PCB上的連接器背面必須與外殼3606連接

   I/O電纜的濾波可通過增加一個與共模噪聲串聯(lián)的高阻抗來完成（例如，一個共模扼流圈或鐵氧體磁芯），或通過一個低阻抗分流器（一個電容）轉(zhuǎn)移共模噪聲到“地”。但是地是什么？這些分流電容必須連接到“干凈”的地，通常指外殼，而不是“臟”的邏輯地。正如前面所討論的I/O連接器的情況，在PCB上安裝這些I/O電纜濾波電容具有經(jīng)濟上的優(yōu)點。這將在下一節(jié)討論。共模濾波器的不同結(jié)構(gòu)已在4.2節(jié)的一定篇幅中討論。