例如，考慮在一個(gè)有低的源阻抗和高的負(fù)載阻抗的信號(hào)線中插入L濾波器的情況。MC74VHC1GT125DT1如果濾波器有一個(gè)62. 8,Q的串聯(lián)元件和一個(gè)1.6Q的旁路元件，將產(chǎn)生32dB的衰減。

   為了有效，安裝旁路電容必須用幾乎為零的短導(dǎo)線。這是極其重要的，但不能被過多強(qiáng)調(diào)。許多濾波器的不足是與旁路電容串聯(lián)的電感。這個(gè)電感包括用于連接敏感設(shè)備輸入和地之間電容的PCB跡線，以及電容器自身的電感。

      對于雙極晶體管放大器的情況，射頻能量檢波通常出現(xiàn)在基極一發(fā)射極結(jié)處。圖14-3表示連接在一個(gè)晶體管的基極和發(fā)射極之間的R-C濾波器的情況。在圖14-3～圖14-5中，串聯(lián)濾波元件被表示為一個(gè)電阻；但是，串聯(lián)元件也可以是前面所討論的鐵氧體磁珠或電感。

 圖14—3適用于晶體管放大器基極到    圖14-4應(yīng)用于運(yùn)算放大器輸入端的RFI濾波器

   在大多數(shù)集成電路故大器的情況下，輸入晶體管基極一發(fā)射極結(jié)不能接到集成電路(IC)的引腳。在這些情況下，射頻濾波器必須被用到設(shè)備的輸入端以使射頻能量不能進(jìn)入組件。圖14-4表示一個(gè)RFI濾波器應(yīng)用于運(yùn)算放大器的輸入端。

   一些IC放大器（例如，AD620儀表放大器）直接進(jìn)入輸入晶體管的基極和發(fā)射極，用戶可以直接在基極一發(fā)射極結(jié)兩端應(yīng)用射頻濾波，如圖14-5所示。