來源：電子元器件應(yīng)用  作者：于浩杰

0 引言

隨著電子產(chǎn)品市場的不斷擴(kuò)大，閃存器無疑將獲得極大的增長。這種增長在很大程度上取決于存儲器的非易失性、低功耗、高密度和重量輕等特點(diǎn)。多項(xiàng)優(yōu)點(diǎn)集于一身使得閃存器在移動電子和嵌入式領(lǐng)域中得到了極大的應(yīng)用。而nand-Flash價(jià)格便宜量又足，性價(jià)比也很高，且十分輕便，抗震性也很不錯(cuò)，很適合用來做數(shù)碼產(chǎn)品，現(xiàn)在的單片NandFlash芯片的存儲容量已經(jīng)可以做到4 GB。很難想像，在一個(gè)大小只有12×20×1.2mm的芯片里可以做到如此的容量。然而，由于Flash管腳多、體積小、一但使用后拆卸很不方便，因此，開發(fā)在線燒錄系統(tǒng)也就成為嵌入式開發(fā)領(lǐng)域不可缺少的一步。

1 NandFlash簡介

NOR和NAND是現(xiàn)在市場上兩種主要的非易失閃存技術(shù)。Intel于1988年首先開發(fā)出NOR flash技術(shù)，徹底改變了原先由EPROM和EEPROM一統(tǒng)天下的局面。緊接著，1989年，東芝公司發(fā)表了NAND flash結(jié)構(gòu)，該結(jié)構(gòu)強(qiáng)調(diào)降低每比特的成本