霍爾效應置于磁場中的靜止載流導體，當它的電流方向與磁場方向不一致時，載ADM232AARW流導體上平行于電流和磁場方向上的兩個面之間產(chǎn)生電動勢，這種現(xiàn)象稱為霍爾效應，該電勢稱為霍爾電勢，半導體薄片稱為霍爾元件。

   如圖6-5所示，在垂直于外磁場B的方向上放置一個導電板，導電板通以電流，，方向如圖6-5所示。導電板中的電流是金屬中自由電子在電場作用下的定向運動。此時，每個電子受洛侖茲力F。的作用.

   F。的方向在圖6-5中是向上的，此時電子除了沿電流反方向作定向運動外，還在F。的作用下向上漂移，結(jié)果使金屬導電板上底面積累電子，而下底面積累正電荷，從而形成了附加y

內(nèi)電場E。，稱為霍爾電場，UH為電位差�；魻栯妶龅某霈F(xiàn)，使定運動的電子除了受洛侖茲力作用外，還受到霍爾電場的作用力F。，其大小為- eEH，此力阻止電荷繼續(xù)積累。隨著上、下底面積累電荷的增加，霍爾電場增加，電子受到的電場力也增加，當電子所受洛侖茲力與霍爾電場作用力大小相等、