磁敏電阻的結(jié)構(gòu)
發(fā)布時(shí)間:2014/11/6 21:12:08 訪問(wèn)次數(shù):1482
磁阻效應(yīng)除了與材料有關(guān)外,還與磁敏電阻的形狀有關(guān)?紤]形狀影響因素時(shí),電阻率的相對(duì)變化為
式中,/、6分別為電阻的長(zhǎng)和寬; ÷是形狀效應(yīng)系數(shù)。
圖6-14所示的是3種不同形狀的半導(dǎo)體內(nèi)電流線的分布,第1行為不加磁場(chǎng)的情況, ADUM1301ARWZ第2行為加磁場(chǎng)的情況。不加磁場(chǎng)時(shí),電流密度與外加電場(chǎng)方向致,即與樣品邊緣平行、與電極垂直。加磁場(chǎng)后,由于產(chǎn)生橫向電場(chǎng),使電流密度方向偏離合成電場(chǎng)而形成一個(gè)角度?梢(jiàn),在磁場(chǎng)作用下,電流流過(guò)的路程Z增長(zhǎng),使樣品電阻R增大。然而,Z的增加與樣品的形狀有關(guān),對(duì)于/>b的長(zhǎng)條形樣品,Z增加不明顯;但對(duì)于/<b的扁條形樣品,Z增加較明顯,因而電阻增加較多;特別是圓盤(pán)形樣品,從圓盤(pán)中心加以輻射形外電場(chǎng)時(shí),幾何磁阻效應(yīng)特別明顯,即在恒定磁感應(yīng)強(qiáng)度下.磁敏電阻的長(zhǎng)度與寬度的比越小,電阻率的相對(duì)變化越大。長(zhǎng)方形磁阻器件只有在Z<6的條件下,才表現(xiàn)出較高的靈敏度。在實(shí)際制作
磁阻器件時(shí),需在/>b的長(zhǎng)方形磁阻材料上制作許多平行等間距的金屬條(即短路柵格),短路霍爾電勢(shì)。科爾比諾圓盤(pán)形磁阻器件的中心和邊緣各有一個(gè)電極,因?yàn)閳A盤(pán)形的磁阻最大,故大多數(shù)的磁阻元件做成圓盤(pán)結(jié)構(gòu)。
磁阻效應(yīng)除了與材料有關(guān)外,還與磁敏電阻的形狀有關(guān)?紤]形狀影響因素時(shí),電阻率的相對(duì)變化為
式中,/、6分別為電阻的長(zhǎng)和寬; ÷是形狀效應(yīng)系數(shù)。
圖6-14所示的是3種不同形狀的半導(dǎo)體內(nèi)電流線的分布,第1行為不加磁場(chǎng)的情況, ADUM1301ARWZ第2行為加磁場(chǎng)的情況。不加磁場(chǎng)時(shí),電流密度與外加電場(chǎng)方向致,即與樣品邊緣平行、與電極垂直。加磁場(chǎng)后,由于產(chǎn)生橫向電場(chǎng),使電流密度方向偏離合成電場(chǎng)而形成一個(gè)角度?梢(jiàn),在磁場(chǎng)作用下,電流流過(guò)的路程Z增長(zhǎng),使樣品電阻R增大。然而,Z的增加與樣品的形狀有關(guān),對(duì)于/>b的長(zhǎng)條形樣品,Z增加不明顯;但對(duì)于/<b的扁條形樣品,Z增加較明顯,因而電阻增加較多;特別是圓盤(pán)形樣品,從圓盤(pán)中心加以輻射形外電場(chǎng)時(shí),幾何磁阻效應(yīng)特別明顯,即在恒定磁感應(yīng)強(qiáng)度下.磁敏電阻的長(zhǎng)度與寬度的比越小,電阻率的相對(duì)變化越大。長(zhǎng)方形磁阻器件只有在Z<6的條件下,才表現(xiàn)出較高的靈敏度。在實(shí)際制作
磁阻器件時(shí),需在/>b的長(zhǎng)方形磁阻材料上制作許多平行等間距的金屬條(即短路柵格),短路霍爾電勢(shì)?茽柋戎Z圓盤(pán)形磁阻器件的中心和邊緣各有一個(gè)電極,因?yàn)閳A盤(pán)形的磁阻最大,故大多數(shù)的磁阻元件做成圓盤(pán)結(jié)構(gòu)。
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