正特性濕敏半導(dǎo)瓷的導(dǎo)電機(jī)理
發(fā)布時(shí)間:2014/11/11 12:27:55 訪問次數(shù):1209
正特性濕敏半導(dǎo)瓷的導(dǎo)電機(jī)理正特性濕敏半導(dǎo)瓷的結(jié)構(gòu)、電子能量狀態(tài)與負(fù)特性材料有所不同。 RHRP8120當(dāng)水分子附著半導(dǎo)瓷的表面使電勢(shì)變負(fù)時(shí),導(dǎo)致其表面層電子濃度下降,但還不足以使表面層的空穴濃度增加到出現(xiàn)反型程度時(shí),此時(shí)仍以電子導(dǎo)電為主。于是,表面電阻將由于電子濃度下降而加大,這類半導(dǎo)瓷材料的表面電阻將隨濕度的增加而加大。如果對(duì)某一種半導(dǎo)瓷,它的晶粒間的電阻并不比晶粒內(nèi)電阻大很多,那么表面層電阻的加大對(duì)總
電阻并不起多大作用。
不過,通常濕敏半導(dǎo)瓷材料都是多孔的,表面電導(dǎo)占的比例很大,故表面層電阻的升高,必將引起總電阻值的明顯升高;但是,由于晶體內(nèi)部低阻支路仍然存在,正特性半導(dǎo)瓷的總電阻值的升高沒有負(fù)特性材料的電阻值下降礙那么明顯。圖10-5所示的是Fe30。正特性半導(dǎo)瓷濕敏電阻值與濕度的關(guān)系曲線。
正特性濕敏半導(dǎo)瓷的導(dǎo)電機(jī)理正特性濕敏半導(dǎo)瓷的結(jié)構(gòu)、電子能量狀態(tài)與負(fù)特性材料有所不同。 RHRP8120當(dāng)水分子附著半導(dǎo)瓷的表面使電勢(shì)變負(fù)時(shí),導(dǎo)致其表面層電子濃度下降,但還不足以使表面層的空穴濃度增加到出現(xiàn)反型程度時(shí),此時(shí)仍以電子導(dǎo)電為主。于是,表面電阻將由于電子濃度下降而加大,這類半導(dǎo)瓷材料的表面電阻將隨濕度的增加而加大。如果對(duì)某一種半導(dǎo)瓷,它的晶粒間的電阻并不比晶粒內(nèi)電阻大很多,那么表面層電阻的加大對(duì)總
電阻并不起多大作用。
不過,通常濕敏半導(dǎo)瓷材料都是多孔的,表面電導(dǎo)占的比例很大,故表面層電阻的升高,必將引起總電阻值的明顯升高;但是,由于晶體內(nèi)部低阻支路仍然存在,正特性半導(dǎo)瓷的總電阻值的升高沒有負(fù)特性材料的電阻值下降礙那么明顯。圖10-5所示的是Fe30。正特性半導(dǎo)瓷濕敏電阻值與濕度的關(guān)系曲線。
熱門點(diǎn)擊
- 波瓣寬度
- 參考電極定律
- CCD的基本功能是存儲(chǔ)與轉(zhuǎn)移信號(hào)電荷
- 接觸電勢(shì)接觸電勢(shì)
- 用經(jīng)驗(yàn)公式擬合實(shí)驗(yàn)數(shù)據(jù)
- 格拉布斯準(zhǔn)則某個(gè)測(cè)量值
- FAS
- 切換偏置和滯后參數(shù)
- 寬帶直放站、選頻直放站和選帶直放站
- 分布式基站
推薦技術(shù)資料
- 驅(qū)動(dòng)板的原理分析
- 先來看看原理圖。圖8所示為底板及其驅(qū)動(dòng)示意圖,F(xiàn)M08... [詳細(xì)]
- CV/CC InnoSwitch3-AQ 開
- URF1DxxM-60WR3系
- 1-6W URA24xxN-x
- 閉環(huán)磁通門信號(hào)調(diào)節(jié)芯片NSDRV401
- SK-RiSC-SOM-H27X-V1.1應(yīng)
- RISC技術(shù)8位微控制器參數(shù)設(shè)
- 多媒體協(xié)處理器SM501在嵌入式系統(tǒng)中的應(yīng)用
- 基于IEEE802.11b的EPA溫度變送器
- QUICCEngine新引擎推動(dòng)IP網(wǎng)絡(luò)革新
- SoC面世八年后的產(chǎn)業(yè)機(jī)遇
- MPC8xx系列處理器的嵌入式系統(tǒng)電源設(shè)計(jì)
- dsPIC及其在交流變頻調(diào)速中的應(yīng)用研究