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正特性濕敏半導(dǎo)瓷的導(dǎo)電機(jī)理

發(fā)布時(shí)間:2014/11/11 12:27:55 訪問次數(shù):1209

   正特性濕敏半導(dǎo)瓷的導(dǎo)電機(jī)理正特性濕敏半導(dǎo)瓷的結(jié)構(gòu)、電子能量狀態(tài)與負(fù)特性材料有所不同。 RHRP8120當(dāng)水分子附著半導(dǎo)瓷的表面使電勢(shì)變負(fù)時(shí),導(dǎo)致其表面層電子濃度下降,但還不足以使表面層的空穴濃度增加到出現(xiàn)反型程度時(shí),此時(shí)仍以電子導(dǎo)電為主。于是,表面電阻將由于電子濃度下降而加大,這類半導(dǎo)瓷材料的表面電阻將隨濕度的增加而加大。如果對(duì)某一種半導(dǎo)瓷,它的晶粒間的電阻并不比晶粒內(nèi)電阻大很多,那么表面層電阻的加大對(duì)總

電阻并不起多大作用。

   不過,通常濕敏半導(dǎo)瓷材料都是多孔的,表面電導(dǎo)占的比例很大,故表面層電阻的升高,必將引起總電阻值的明顯升高;但是,由于晶體內(nèi)部低阻支路仍然存在,正特性半導(dǎo)瓷的總電阻值的升高沒有負(fù)特性材料的電阻值下降礙那么明顯。圖10-5所示的是Fe30。正特性半導(dǎo)瓷濕敏電阻值與濕度的關(guān)系曲線。

      

   正特性濕敏半導(dǎo)瓷的導(dǎo)電機(jī)理正特性濕敏半導(dǎo)瓷的結(jié)構(gòu)、電子能量狀態(tài)與負(fù)特性材料有所不同。 RHRP8120當(dāng)水分子附著半導(dǎo)瓷的表面使電勢(shì)變負(fù)時(shí),導(dǎo)致其表面層電子濃度下降,但還不足以使表面層的空穴濃度增加到出現(xiàn)反型程度時(shí),此時(shí)仍以電子導(dǎo)電為主。于是,表面電阻將由于電子濃度下降而加大,這類半導(dǎo)瓷材料的表面電阻將隨濕度的增加而加大。如果對(duì)某一種半導(dǎo)瓷,它的晶粒間的電阻并不比晶粒內(nèi)電阻大很多,那么表面層電阻的加大對(duì)總

電阻并不起多大作用。

   不過,通常濕敏半導(dǎo)瓷材料都是多孔的,表面電導(dǎo)占的比例很大,故表面層電阻的升高,必將引起總電阻值的明顯升高;但是,由于晶體內(nèi)部低阻支路仍然存在,正特性半導(dǎo)瓷的總電阻值的升高沒有負(fù)特性材料的電阻值下降礙那么明顯。圖10-5所示的是Fe30。正特性半導(dǎo)瓷濕敏電阻值與濕度的關(guān)系曲線。

      

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