基于霍爾效應(yīng)原理工作的半導(dǎo)體器件稱為霍爾元件。按照結(jié)構(gòu)可以分為體型和薄膜型兩種，STV9427如圖3-37所示。由于GaAs、InAs材料的禁帶寬度Eg較大，性能穩(wěn)定，且遷移率岸較大的特點(diǎn)，使得靈敏度系數(shù)較大，加之離子注入技術(shù)的發(fā)展，可將Si注入GaAs中，制成N型GaAs，采用低溫沉積S102包封，經(jīng)光刻、腐蝕及焊引線即可。一般加工出幾何結(jié)構(gòu)長(zhǎng)寬比為2:1的材料，做四個(gè)電極，a、b為輸入端，c、d為輸出端，如圖3-37(a)所示。

為了克服a、b電極的短路中和作用，加工為圖3-37(b)結(jié)構(gòu)。另外依據(jù)前面理論得知，元件的厚度越小，靈敏度越大，所以制備成薄膜型器件，如圖3-37(c)所示。一般采用蒸發(fā)法制備半導(dǎo)體硅薄膜時(shí)，多數(shù)產(chǎn)品為多晶硅而不是單晶硅，其原因是單晶硅肚很小，因此這種工藝不適合制備霍爾元件，通常采用外延法生長(zhǎng)單晶硅來(lái)制備薄膜型霍爾元件，目前也能制備出熔點(diǎn)低、肛大的InAs薄膜型高靈敏器件。它的外形、結(jié)構(gòu)和符號(hào)如圖3-38歷示，它由霍爾片、四根引線和殼體組成�；魻柶且粔K矩形半導(dǎo)體單晶薄片(一般為4mm×2mm×0. Imm)，在它的長(zhǎng)度方向兩個(gè)端面上有兩根引線（圖中a、b線），稱為控制電流端引線，通常用紅色導(dǎo)線，在薄片的另兩個(gè)端面的中間，以點(diǎn)的形式對(duì)稱焊接兩根霍爾輸出引線（圖中c、d線），通常用綠色導(dǎo)線�；魻栐臍んw是用非導(dǎo)磁金屬、陶瓷或環(huán)氧樹脂封裝�；�爾元件在電路中可用圖3-38(c)的兩種符號(hào)表示。