霍爾元件一般采用具有N型的鍺、SSP26812FU100銻化銦和砷化銦等半導(dǎo)體單晶材料制成。銻化銦元件的輸出較大，但受溫度的影響也較大。鍺元件的輸出雖小，但它的溫度性能和線性度卻比較好。砷化銦元件的輸出信號沒有銻化銦元件大，但是受溫度的影響卻比銻化銦要小，而且線性度也較好，因此，采用砷化銦做霍爾元件的材料受到普遍重視。

   霍爾元件的結(jié)構(gòu)很簡單，它由霍爾片、引線和殼體組成�；魻柶且粔K矩形半導(dǎo)體薄片，如圖3-36所示。在長邊的兩個端面上焊上兩根控制電流端引線(見圖中1-1)，在元件短邊的中間以焊點的形式焊上兩根霍爾輸出端引線（見圖中2-2），在焊接處要求接觸電阻小，而且呈純電阻性質(zhì)的霍爾片用非磁性金屬、陶瓷或環(huán)氧樹脂封裝。