國(guó)產(chǎn)晶振元件的型號(hào)由三部分組成
發(fā)布時(shí)間:2014/12/20 19:29:03 訪問次數(shù):566
國(guó)產(chǎn)晶振元件的型號(hào)由三部分組成, ADG417BRZ其中第1部分表示外殼形狀和材料,如B表示玻璃殼,J表示金屬殼,S表示塑封型;第2部分表示晶片切型,常與切型符號(hào)的第1個(gè)字母相同,如A表示AT切型,B表示BT切型等;第3部分表示主要性能及外形尺寸等,一般用數(shù)字表示,也有最后再加英文字母的,如JA5為金屬殼AT切型晶振元件,BA3為玻璃殼AT切型晶振元件。從型號(hào)上是無(wú)法知道晶振元件的主要電特性,需查產(chǎn)品手冊(cè)或相關(guān)資料。石英晶體的外形、代號(hào)及性能如表2-5所示。晶振元件的主要電參數(shù)是標(biāo)稱頻率/j、負(fù)載電容CL、激勵(lì)電平(功率)、工作溫度范圍和溫度頻差。
晶振元件相當(dāng)于電感,組成振蕩電路時(shí)需配接外部電容,此電容即負(fù)載電容CL。在規(guī)定的CL下晶振元件的振蕩頻率即為標(biāo)稱頻率fo。
負(fù)載電容CL是參與決定振蕩頻率的,所以設(shè)計(jì)電路時(shí)必須按產(chǎn)品手冊(cè)中規(guī)定的CL值,才能使振蕩頻率符合晶振的fo。
激勵(lì)電平(功率)是指晶振元件工作時(shí)會(huì)消耗的有效功率。激勵(lì)電平應(yīng)大小適中,過大則會(huì)使電路頻率穩(wěn)定度變差,甚至“振裂”晶片;過小則會(huì)使振蕩幅度減小和不穩(wěn)定,甚至不能起振。
一般激勵(lì)電平不應(yīng)大于額定值,但也不要小于額定值的50%。溫度頻差是指在工作溫度范圍內(nèi)的工作頻率相對(duì)于基準(zhǔn)溫度下工作頻率的最大偏離值,該參數(shù)實(shí)際代表了晶振的頻率溫度特性。
晶振元件除體積特小的之外,其標(biāo)稱頻率都櫟注在外殼上,故識(shí)別及使用都十分方便。
國(guó)產(chǎn)晶振元件的型號(hào)由三部分組成, ADG417BRZ其中第1部分表示外殼形狀和材料,如B表示玻璃殼,J表示金屬殼,S表示塑封型;第2部分表示晶片切型,常與切型符號(hào)的第1個(gè)字母相同,如A表示AT切型,B表示BT切型等;第3部分表示主要性能及外形尺寸等,一般用數(shù)字表示,也有最后再加英文字母的,如JA5為金屬殼AT切型晶振元件,BA3為玻璃殼AT切型晶振元件。從型號(hào)上是無(wú)法知道晶振元件的主要電特性,需查產(chǎn)品手冊(cè)或相關(guān)資料。石英晶體的外形、代號(hào)及性能如表2-5所示。晶振元件的主要電參數(shù)是標(biāo)稱頻率/j、負(fù)載電容CL、激勵(lì)電平(功率)、工作溫度范圍和溫度頻差。
晶振元件相當(dāng)于電感,組成振蕩電路時(shí)需配接外部電容,此電容即負(fù)載電容CL。在規(guī)定的CL下晶振元件的振蕩頻率即為標(biāo)稱頻率fo。
負(fù)載電容CL是參與決定振蕩頻率的,所以設(shè)計(jì)電路時(shí)必須按產(chǎn)品手冊(cè)中規(guī)定的CL值,才能使振蕩頻率符合晶振的fo。
激勵(lì)電平(功率)是指晶振元件工作時(shí)會(huì)消耗的有效功率。激勵(lì)電平應(yīng)大小適中,過大則會(huì)使電路頻率穩(wěn)定度變差,甚至“振裂”晶片;過小則會(huì)使振蕩幅度減小和不穩(wěn)定,甚至不能起振。
一般激勵(lì)電平不應(yīng)大于額定值,但也不要小于額定值的50%。溫度頻差是指在工作溫度范圍內(nèi)的工作頻率相對(duì)于基準(zhǔn)溫度下工作頻率的最大偏離值,該參數(shù)實(shí)際代表了晶振的頻率溫度特性。
晶振元件除體積特小的之外,其標(biāo)稱頻率都櫟注在外殼上,故識(shí)別及使用都十分方便。
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