單向晶閘管的管芯是呆用摻雜技術(shù)在一片很薄的單晶硅片上制成的四層疊合半導(dǎo)體， HAT2207C四層的排列為Pl、Nl、P2、N2，如圖2- 72 (a)所示。在四層半導(dǎo)體器件的每對(duì)P、N層之間均形成一個(gè)PN結(jié)，共形成Jl、J2、J3三個(gè)PN結(jié)。

   從四個(gè)PN層中的Pl層引出一個(gè)電極，稱為陽(yáng)極A；從N2層引出一個(gè)電極，稱為陰極K；從P2層引出一個(gè)電極，稱為控制極G，這樣就形成了一個(gè)由四個(gè)層、三個(gè)引出端組成的半導(dǎo)體器件，這個(gè)器件稱為單向晶閘管。

   為了便于說明單向晶閘管的工作原理，我們可以把圖2 - 72 (a)看成是由兩個(gè)部分組成的，如圖2 - 72 (b)所示。

   在圖2- 72 (b)的左下部分正好是一個(gè)NPN型晶體管；右上部分則是一個(gè)PNP型晶體管。對(duì)于這樣一種結(jié)構(gòu)關(guān)系，我們可以用電路的形式來表示，如圖2 - 72 (c)所示。