集電極最大允許耗散功率PCM限制區(qū)。從晶體管手冊的參數(shù)表中可以查到板限參數(shù)PCM的值(例如，3AG25的PCM一50MW)，它就是集電極上最大允許的耗散功率。

   晶體管工作在放大狀態(tài)時， P4KE15A發(fā)射結(jié)的正向電壓較小，集電結(jié)反向電壓較大，但通過兩個結(jié)的電流近似相等，因此，晶體管的消耗功率主要是指消耗在集電結(jié)上的功率，用Pc表示。

   會在晶體管中轉(zhuǎn)化為熱能而導(dǎo)致結(jié)溫上升，PN結(jié)的最高允許溫度硅管約為150℃、鍺管約為70℃。當(dāng)工作的溫度超過這個限度時管子的性能就會變差，而且容易損壞。因此，PN結(jié)的最高工作溫度便決定了晶體管集電極耗散功率的最大允許值PCM。

   當(dāng)從手冊中查出了PCM值后，就可以求出不同集電極電流J。所允許的最高電壓值Uce，例如，PCM一50MW時可求出表3-14的數(shù)值。

     把上表中的對應(yīng)點畫在曲線族上，就會連接出一條最大功耗線。這條線的右邊稱為集電極最大允許耗散功率限制區(qū)，晶體管的工作不允許進(jìn)入這個區(qū)域，以免過熱而損壞。

   對于大功率晶體管，如果外加散熱片使散熱面積增大或強(qiáng)制冷卻，都可以大大提高PCM的值，使最大功耗線向右上方移動。

  安全工作區(qū)。由截止區(qū)、飽和區(qū)、最大允許集電極電流ICM限制區(qū)、擊穿區(qū)和集電極最大允許耗散功率PCM限制區(qū)所圍成的內(nèi)部區(qū)域稱為安全工作區(qū)，也稱放大區(qū)。在此區(qū)內(nèi)由于Uce對J。的影響較小，每條特性曲線在此區(qū)內(nèi)較平坦。在此區(qū)內(nèi)j。增加一個數(shù)量(如20)uA)，特性曲線向上移動一條，顯示了Ib對j。有控制作用。共發(fā)射極連接的晶體管，只要它的J。值與U。。值不超出這個區(qū)域，就能得到期望的放大作用。所以，利用安全工作區(qū)就

能直觀而確切地選定I作點和放大范圍。