轉(zhuǎn)移特性曲線
發(fā)布時(shí)間:2014/12/27 19:50:25 訪問次數(shù):9133
轉(zhuǎn)移特性曲線。如圖3- 36 (b)所示,它表示在UDs-定時(shí),ID與U(詩的關(guān)系。由P4KE160于轉(zhuǎn)移特性曲線與漏極特性曲線所反映的是場效應(yīng)管工作的同一物理過程,只是從不同的角度把它反映出來,因此,這兩種特性曲線并不是相互無關(guān)的。只要在圖3 - 36 (a)所示的漏極特性曲線上漏源電壓等于UDS值處作垂直分割線,此垂直線與各輸出特性曲線的交點(diǎn),就表明了在漏源電壓固定為UDS條件下,不同柵源電壓UGS應(yīng)有的輸出電流ID值,把各點(diǎn)連成曲線就得到轉(zhuǎn)移特性(ID -UGS)曲線。
圖3 - 36 (c)表示不同環(huán)境溫度時(shí)的轉(zhuǎn)移特性曲線,各線交點(diǎn)Q叫做最佳偏壓點(diǎn),因為在該點(diǎn)處不受溫度影響,溫度系數(shù)為零。
絕緣柵場效應(yīng)管特性曲線。為了獲得更高的輸入電阻和便于制作集成電路,又出現(xiàn)了將柵極絕緣的另一種場效應(yīng)管——絕緣柵場效應(yīng)管,絕緣柵場效應(yīng)管的內(nèi)部結(jié)構(gòu)與結(jié)型場效應(yīng)管結(jié)構(gòu)主要不同處在于它的柵極是從二氧化硅上引出,柵極與源、漏極是絕緣的,絕緣柵場效應(yīng)管也因此得名。
絕緣柵(MOS)場效應(yīng)管有耗盡型和增強(qiáng)型之分。當(dāng)UGs =0時(shí),源漏之間就存在導(dǎo)電溝道的,稱為耗盡型場效應(yīng)管;如果必須在I UGSl>O酌情況下才存在導(dǎo)電溝道的,則稱為增強(qiáng)型場效應(yīng)管。因此,絕緣柵場效應(yīng)管有N溝道耗盡型、N溝道增強(qiáng)型、P溝道耗盡型、P溝道增強(qiáng)型四種不同的類型。
圖3 - 37 (a)所示是四種MOS場效應(yīng)管的輸出特性曲線,圖3- 37 (b)所示是四種MOS場效應(yīng)管的轉(zhuǎn)移特性曲線。
轉(zhuǎn)移特性曲線。如圖3- 36 (b)所示,它表示在UDs-定時(shí),ID與U(詩的關(guān)系。由P4KE160于轉(zhuǎn)移特性曲線與漏極特性曲線所反映的是場效應(yīng)管工作的同一物理過程,只是從不同的角度把它反映出來,因此,這兩種特性曲線并不是相互無關(guān)的。只要在圖3 - 36 (a)所示的漏極特性曲線上漏源電壓等于UDS值處作垂直分割線,此垂直線與各輸出特性曲線的交點(diǎn),就表明了在漏源電壓固定為UDS條件下,不同柵源電壓UGS應(yīng)有的輸出電流ID值,把各點(diǎn)連成曲線就得到轉(zhuǎn)移特性(ID -UGS)曲線。
圖3 - 36 (c)表示不同環(huán)境溫度時(shí)的轉(zhuǎn)移特性曲線,各線交點(diǎn)Q叫做最佳偏壓點(diǎn),因為在該點(diǎn)處不受溫度影響,溫度系數(shù)為零。
絕緣柵場效應(yīng)管特性曲線。為了獲得更高的輸入電阻和便于制作集成電路,又出現(xiàn)了將柵極絕緣的另一種場效應(yīng)管——絕緣柵場效應(yīng)管,絕緣柵場效應(yīng)管的內(nèi)部結(jié)構(gòu)與結(jié)型場效應(yīng)管結(jié)構(gòu)主要不同處在于它的柵極是從二氧化硅上引出,柵極與源、漏極是絕緣的,絕緣柵場效應(yīng)管也因此得名。
絕緣柵(MOS)場效應(yīng)管有耗盡型和增強(qiáng)型之分。當(dāng)UGs =0時(shí),源漏之間就存在導(dǎo)電溝道的,稱為耗盡型場效應(yīng)管;如果必須在I UGSl>O酌情況下才存在導(dǎo)電溝道的,則稱為增強(qiáng)型場效應(yīng)管。因此,絕緣柵場效應(yīng)管有N溝道耗盡型、N溝道增強(qiáng)型、P溝道耗盡型、P溝道增強(qiáng)型四種不同的類型。
圖3 - 37 (a)所示是四種MOS場效應(yīng)管的輸出特性曲線,圖3- 37 (b)所示是四種MOS場效應(yīng)管的轉(zhuǎn)移特性曲線。
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