在加入銦粒的基片兩個(gè)面中，其中銦L085S221331粒較大的一面作為集電極，這是由于較大銦粒的面積較大，可以更多地收集從發(fā)射極擴(kuò)散過(guò)來(lái)的載流子；另一面則為發(fā)射極；中間的N型鍺片則為基區(qū)，基區(qū)很薄，僅幾微米到幾十微米。國(guó)產(chǎn)3AX、3AD等型號(hào)鍺PNP三極管及3BX型NPN三極管均屬于此種結(jié)構(gòu)。但是這類管子在制造合金結(jié)時(shí)，為了防止把基區(qū)燒穿，基區(qū)厚度不能做得太薄，所以管子的頻率特性較差，多在低頻電路中使用。

   為了改善晶體管的頻率特性和溫度特性，并提高長(zhǎng)期工作的穩(wěn)定性，隨后又陸續(xù)制造出了合金擴(kuò)散型和臺(tái)面型晶體管，最后還研制出了性能極為優(yōu)越的平面型晶體管。

   平面型晶體管的基礎(chǔ)材料是N型單晶硅，將N型單晶硅放在水蒸氣中加熱到1000℃，這時(shí)在晶體的表面生成了約l)um厚的氧化硅(S102)薄膜，成為密閉性良好的電絕緣層，以保護(hù)晶體免受潮氣和污染，防止管子特性發(fā)生變化，提高管子的穩(wěn)定性。

   制造平面型晶體管時(shí)的另一項(xiàng)重要步驟是采用了光刻技術(shù)，在生長(zhǎng)有Si02的硅片表面涂上一層感光膠，經(jīng)烘干后，放上一塊特制的掩膜版，然后進(jìn)行紫外線曝光。掩膜版是根據(jù)哪些部位氧化層需要去掉，哪些部位氧化層需耍保留而制成的。

   經(jīng)過(guò)曝光以后，對(duì)應(yīng)于掩膜版上透光部位的感光膠就會(huì)硬化而留在氧化硅上作為保護(hù)層，而被遮住未曝光的部位則可用顯影液洗去。這時(shí)把硅片放入氫氟酸中，就會(huì)使沒(méi)有感光膠保護(hù)的S102層被腐蝕掉，露出硅片，稱為“窗口”。

   這樣，利用光刻技術(shù)開(kāi)出窗口，先通過(guò)硼（3價(jià)）擴(kuò)散形成P型層，再通過(guò)磷(5價(jià))擴(kuò)散形成N型層，每次擴(kuò)散后都應(yīng)覆蓋一層氧化硅膜，涂上一層感光膠，再進(jìn)行掩膜曝光。

   通過(guò)多次氧化、光刻、擴(kuò)散的巧妙配合，就制作成了平面型晶體管。

   這種管子的整個(gè)結(jié)構(gòu)都制作在一個(gè)平坦的表面上，平面型晶體管也因此而得名。國(guó)產(chǎn)3DG、3DK等型號(hào)硅NPN晶體管和3CG、3CK型等型號(hào)硅PNP晶體管均屬此種結(jié)構(gòu)。