晶體管手冊(cè)中給出的廠參數(shù)說(shuō)明。為了表L130WDT/GYW明不同晶體管在不同的頻率下的工作特性，晶體管手冊(cè)中除了標(biāo)出晶體管的直流參數(shù)和極限參數(shù)之外還需要標(biāo)出頻率參數(shù)。通常晶體管的頻率參數(shù)有fa、fp、fT、fm，下面我們就分別介紹這幾個(gè)參數(shù)。

   共基極截止頻率fa（a截止頻率）。在共基極電路中，電流放大系數(shù)&值在工作頻率較低時(shí)基本為一常數(shù)。當(dāng)工作頻率超過(guò)某一值時(shí)，d值開(kāi)始下降，當(dāng)口值下降至低頻值ao(例如廠為lkHz)的1／√2（即0.707倍）時(shí)所對(duì)應(yīng)的頻率為^，稱為共基極電路截止頻率

或a截止頻率。

   共發(fā)射極截止頻率^（J8截止頻率）。與f類似，在共發(fā)射極電路里，電流放大數(shù)盧值在降低到低頻值屆的l／2時(shí)所對(duì)應(yīng)的頻率稱為共發(fā)射極截止頻率，如圖2 - 65所示。

   上述兩個(gè)截止頻率的物理意義是相同的，即a和盧對(duì)于低頻值下降1／2時(shí)的頻率，區(qū)別僅在于晶體管在電路中的連接方式不同，因而頻率特性也有所不同。

   理論和實(shí)驗(yàn)都證明，同一只晶體管的fp值遠(yuǎn)比f(wàn)a值小，這兩個(gè)參數(shù)有如下關(guān)系：般規(guī)定a<3MHz的晶體管稱做低頻管，a>3MHz的稱做高頻管。低頻晶體管的頻率參數(shù)常用^或^表示，在晶體管手冊(cè)中往往只給出其中一個(gè)，但有了上述的關(guān)系式，知道了其中一個(gè)頻率參數(shù)即可推算出另一個(gè)頻率參數(shù)。

   例如，已知一個(gè)晶體管的f是500kHz，盧為100，那么f一fa(i+p)≈5kHz。

   在實(shí)際使用中，工作頻率即使等于fa或^時(shí)，并不等于管子已“截止”不能工作，它仍有一定的放大能力。

   但在設(shè)計(jì)電路和使用晶體管時(shí)，若要使電路有較高的工作頻率，應(yīng)盡量選用卉（或fa）高的管子。如果要使放大器的工作頻率大于lokHz，考慮到電路的反饋，那么應(yīng)選fp>kHz的管子為好。

   一般p高的管子fp也高一些，所以對(duì)于同一個(gè)電路，使用盧高些的管子，工作頻率也可提高一些。由于a值在較寬的頻率范圍內(nèi)比較均勻，且^遠(yuǎn)大于fp，所以高頻寬帶放大器和一些高頻、超高頻、甚高頻振蕩器常用共基極接法。