如圖2 - 68所示電路中，當(dāng)晶體管AD7760BSV的集電極和發(fā)射極之間加電壓UCE時，則集電結(jié)的反向電壓很高，于是基區(qū)的少數(shù)載流子（空穴）和集電區(qū)的少數(shù)載流子（自由電子，以下簡稱電子）分別流向?qū)Ψ剑@就形成了集電極反向飽和電流ICB()。

   這時因基極開路，ICB(，在基極回路沒有通路，于是由于基區(qū)失去空穴而又注入電子，使基區(qū)失去電中性，迫使基區(qū)電位下降，致使基極和發(fā)射極之間存在著電位差，這個電位差對發(fā)射結(jié)來說正好是正向電壓，Uk，。這樣發(fā)射區(qū)便向基區(qū)發(fā)射空穴，其中一少部分空穴在基區(qū)中復(fù)合而形成基區(qū)復(fù)合電流j：，而絕大部分空穴被集電極收集形成I。

   根據(jù)晶體管放大原理則I:一蘆：。在基區(qū)復(fù)合的這部分空穴正好彌補由于ICB(，在基區(qū)所造成的電荷不平衡，從而滿足基區(qū)的電中性，所以K一ICB(，。這時集電極的反向電流即為穿透電流，即ICEO一ICBO +prCBO一(1+盧)ICBc.)。所以ICEO>ICBC)。

   如果基極與發(fā)射極短路，如圖2 - 68 (b)所示，則ICBO將被基極回路分出一部分電流Ib，如圖2 - 68 (b)歷示。

   因為IC,BO在溫度不變的情況下是一個定值，因此分流以后剩下的部分就比圖2- 68 (a)中的矗少了，設(shè)為《但它仍會造成基區(qū)電位的下降，不過下降的程度比基極開路時小，也就是發(fā)射結(jié)正向電壓比基極開路時小得多了，因而這時集電極的反向電流ICES—ICB(，十prL<CEO但I(xiàn)CES >ICE()。

   根據(jù)前面的道理，如果基極與發(fā)射極接有電阻R，那么這時基極回路電阻變?yōu)镽+rl“，自然會使基極回路對ICB(，的分流減小。當(dāng)然ICER>I(:ES。因此綜合上述情況，集電極反向電流存在著ICB()<ICES<ICER<ICEO的關(guān)系。