電壓B UBo、BUc、BUCES、BUCER稱為晶體管的擊穿電壓，四種晶體管擊穿電壓分別介紹如下：

   (1) BUⅨ，。BUcw）為發(fā)射極開路時(shí)， AD7760BSVZ集電極與基極間的擊穿電壓。如圖2- 66 (b)所示，當(dāng)集電極和基極間加反向電壓UCB時(shí)，集電極反向電流為ICB。反向電壓在一定范圍內(nèi)變化時(shí)，ICBO基本上保持不變。但當(dāng)U。。增加到一定值時(shí)，反向電流急劇上升，此現(xiàn)象稱為擊穿現(xiàn)象。這時(shí)的反向電壓就以B Ua3c)表示。

   (2) BUCEO。BUCEO為基極開路時(shí)，集電極與發(fā)射極間的擊穿電壓。如圖2- 66 (b)所示，當(dāng)UCE超過一定值時(shí)，ICE()急劇上升，此時(shí)反向電壓以BUF/O表示。

   (3) BUCEfS。BU(,FS為基極和發(fā)射極短路時(shí)，集電極與發(fā)射極間的擊穿電壓，如圖2- 67(a)所示，當(dāng)UCE超過一定值時(shí)，ICES將急劇上升，此時(shí)反向電壓以BUCES表示。

   (4) BUCER。BUc ER為基極和發(fā)射極接有電阻R時(shí)，集電極與發(fā)射極間的擊穿電壓。同上面一樣，如圖2 - 67 (b)所示，當(dāng)UCE超過一定值時(shí)，ICER急劇上升，此時(shí)的反向電壓以B UcER表示。

   通過了解晶體管擊穿原理，可以了解上述四種晶體管擊穿電壓之間的關(guān)系。例如，PNP型管的擊穿電壓B UBo，就是當(dāng)形成反向電流ICBO的集電區(qū)的電子和基區(qū)的空穴，在通過集電結(jié)的過程中碰撞集電結(jié)中的原子，一個(gè)載流子（電子或空穴）可以撞出原子最外層軌道上的電子，結(jié)果產(chǎn)生一對(duì)新的載流子，這時(shí)新的載流子又繼續(xù)碰撞其他原子，如同雪崩一樣使電流發(fā)生劇增，稱為雪崩擊穿。發(fā)生這種現(xiàn)象時(shí)的U CB就是BUo。

   由于ICBO<ICES<ICER<ICEO．顯然底數(shù)比較大的反向電流，達(dá)到雪崩擊穿時(shí)的擊穿電壓自然比較小，因此存在著B UB0 >B UCS >B UCER >B UCEO的關(guān)系。