在溝道和柵極間形成了兩個PN結(jié)
發(fā)布時間:2015/1/26 23:14:39 訪問次數(shù):1095
由圖可知,在溝道和柵極間形成了兩個PN結(jié)。當(dāng)柵極開路時,溝道相當(dāng)于一個電阻, AD7801BR其阻值隨管子型號的不同而不同,一般為數(shù)百歐到數(shù)千歐。若按圖2 - 69 (a)將漏極接正電源、源極接負(fù)電源或接地,就有漏極電流JD流過溝道,且隨漏…源極間電壓UDs的增加而增大,其關(guān)系曲線如圖2 - 69 (d)所示(UGS =OV)。
當(dāng)柵極接負(fù)電壓時,如圖2 - 69 (b)所示,PN結(jié)加上了反向偏壓,形成空間電荷區(qū)。由于空間電荷區(qū)內(nèi)載流子很少,因而也叫耗盡區(qū)(或阻擋層),其性能類似絕緣體。反偏壓越大,耗盡區(qū)越寬,就向溝道中擴展使溝道變窄,溝道電阻加大,ID減小。ID流經(jīng)溝道是要產(chǎn)生壓降的,這使得沿溝道各點與柵極的偏壓不一樣。
在圖2 - 69 (b)中,A點電位比B點高,柵極相對于A點的反偏壓就會大于B點的反偏壓,于是造成圖中A點處耗盡區(qū)伸人的比B點處要多,形成如圖所示耗盡區(qū)形狀。當(dāng)負(fù)柵壓繼續(xù)增加時,耗盡區(qū)就會愈來愈厚,甚至使兩邊耗盡區(qū)在溝道中間相合,如圖2 - 69
(c)所示,致使導(dǎo)電溝道合攏,ID完全消失,這種現(xiàn)象稱為夾斷,這時所加的柵一源極間電壓叫夾斷電壓UP。
從上述現(xiàn)象可以看到,場效應(yīng)管的潺、源、柵極分別具有類似電子管的屏、陰、柵極的功能。與普通晶體管不同,它的柵、源極之間是一個反向偏置的PN結(jié),因而輸入電阻極大,一般在數(shù)百兆歐以上。它的漏極電流由單一載流子形成,例如,N溝道場
效應(yīng)管中為電子,P溝道場效應(yīng)管中為空穴,電流受到垂直于電流通路的電場大小的控制;對比之下,晶體管則是由一個反偏的集電結(jié)和一個正偏的發(fā)射結(jié)結(jié)合而成,載流子有電子也有空穴。因此,場效應(yīng)管常被叫做單極晶體管,而普通晶體管卻被叫做雙
極晶體管。
由圖可知,在溝道和柵極間形成了兩個PN結(jié)。當(dāng)柵極開路時,溝道相當(dāng)于一個電阻, AD7801BR其阻值隨管子型號的不同而不同,一般為數(shù)百歐到數(shù)千歐。若按圖2 - 69 (a)將漏極接正電源、源極接負(fù)電源或接地,就有漏極電流JD流過溝道,且隨漏…源極間電壓UDs的增加而增大,其關(guān)系曲線如圖2 - 69 (d)所示(UGS =OV)。
當(dāng)柵極接負(fù)電壓時,如圖2 - 69 (b)所示,PN結(jié)加上了反向偏壓,形成空間電荷區(qū)。由于空間電荷區(qū)內(nèi)載流子很少,因而也叫耗盡區(qū)(或阻擋層),其性能類似絕緣體。反偏壓越大,耗盡區(qū)越寬,就向溝道中擴展使溝道變窄,溝道電阻加大,ID減小。ID流經(jīng)溝道是要產(chǎn)生壓降的,這使得沿溝道各點與柵極的偏壓不一樣。
在圖2 - 69 (b)中,A點電位比B點高,柵極相對于A點的反偏壓就會大于B點的反偏壓,于是造成圖中A點處耗盡區(qū)伸人的比B點處要多,形成如圖所示耗盡區(qū)形狀。當(dāng)負(fù)柵壓繼續(xù)增加時,耗盡區(qū)就會愈來愈厚,甚至使兩邊耗盡區(qū)在溝道中間相合,如圖2 - 69
(c)所示,致使導(dǎo)電溝道合攏,ID完全消失,這種現(xiàn)象稱為夾斷,這時所加的柵一源極間電壓叫夾斷電壓UP。
從上述現(xiàn)象可以看到,場效應(yīng)管的潺、源、柵極分別具有類似電子管的屏、陰、柵極的功能。與普通晶體管不同,它的柵、源極之間是一個反向偏置的PN結(jié),因而輸入電阻極大,一般在數(shù)百兆歐以上。它的漏極電流由單一載流子形成,例如,N溝道場
效應(yīng)管中為電子,P溝道場效應(yīng)管中為空穴,電流受到垂直于電流通路的電場大小的控制;對比之下,晶體管則是由一個反偏的集電結(jié)和一個正偏的發(fā)射結(jié)結(jié)合而成,載流子有電子也有空穴。因此,場效應(yīng)管常被叫做單極晶體管,而普通晶體管卻被叫做雙
極晶體管。
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