場(chǎng)效應(yīng)管是一種與普通晶體管結(jié)構(gòu)和工作原理不同的電子器件，一般書中常用字母FET來簡(jiǎn)稱，它是Field Effect Transistor的縮寫。場(chǎng)效應(yīng)管按照其內(nèi)部結(jié)構(gòu)可分為兩大類：一類是結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管(縮寫為JFET)； AD7775BJR-P94另一類是絕緣柵場(chǎng)效應(yīng)管(縮寫為IGFET)，也稱為金屬  氧化物一半導(dǎo)體絕緣柵場(chǎng)效應(yīng)管(縮寫為MOSFET)，通常稱為MOS場(chǎng)效應(yīng)管。場(chǎng)效應(yīng)管與晶體管一樣，也分PNP和NPN兩個(gè)類型，按其內(nèi)部溝道所采用的半導(dǎo)體材料，又分為N溝道和P溝道兩種。所謂溝道，就是電流通道。

   結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)晶體管的工作原理

   以N溝道結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管為例，它是由兩部分組成的，如圖2 - 69 (a)所示。它的本體是一塊N型硅材料，叫N溝道，引出兩個(gè)電極分別稱為源極(S)和漏極(D)。本體兩邊各附一小片P型材料，引出電極稱為柵極(G)。