1)伏安特性

   LED的伏安特性與普通半導(dǎo)體二極管相同， A1212S-1W如圖3-5所示。從特性曲線可以看出，正向電壓較小時不發(fā)光，此區(qū)為正向死區(qū)，對于GaAs其開啟電壓約為1V，對于GaAsP為1.5V，對于GaP（紅）約1.8V，GsP（綠）約2V。ab段為工作區(qū)即大量發(fā)光區(qū)，其正向電壓一般為1.5~3V。

   加反向電壓時不發(fā)光，這時的電流稱為反向飽和電流，當(dāng)反向電壓加至擊穿電壓的時候，電流突然增加，稱為反向擊穿，反向擊穿電壓為5—20V。

    2)光譜特性

   發(fā)光二極管發(fā)出的光不是純單色光，其譜線寬度比激光寬，但比復(fù)色光源譜線窄。如GaAs發(fā)光二極管的譜線寬度約25nm，因此可以認(rèn)為是單色光。如圖3-6所示為其光譜特性。GaP【紅）的峰值波長在70nm左右，其半寬度約lOOnm。若P-N結(jié)溫度上升，則峰值波長向長波方向飄移，即具有正的溫度系數(shù)。

   3)發(fā)光亮度特性

   發(fā)光二極管的發(fā)光亮度基本上正比于電流密度。如圖3 -7所示。是幾種LED的出射度與電流密度的關(guān)系曲線�？梢钥闯龃蠖鄶�(shù)LED的發(fā)光亮度與電流密度成正比，但隨著電流密的增加，發(fā)光亮度有趨于飽和的現(xiàn)象，因此采用脈沖驅(qū)動方式是有利的，它可以在平均電流與直流相等的情況下有更高的亮度。