為了易于理解，可以ICE2A765P用一個簡單的液體模型去比擬電荷存儲機(jī)構(gòu)。當(dāng)電壓超過閾值時，就建立了耗盡層勢阱，深度與外加電壓有關(guān)。當(dāng)出現(xiàn)反型層時，表面電位幾乎呈線性下降，類似于液體倒入井中，液面到頂面的深度隨之變淺。只是這種勢阱不能充滿，最后有垂，的深度。

    為了理解在CCD勢阱中電荷如何從一個位置移到另一個位置，我們觀察的結(jié)構(gòu)。取CCD中4個彼此靠得很近的電極來觀察，假定開始時有一些電荷存儲在偏壓為10V的第二個電極下面的深勢阱里，其他電極上均加有大于閾值的電壓（例如2V）。設(shè)圖4-39(a)為零時刻（初始時刻），假設(shè)過tl時刻后，各電極上的電壓變?yōu)槿鐖D(b)所示，第二個電極仍保持為10V，第三個電極上的電壓由2V變?yōu)?0V。因這兩個電極靠得很緊，它們各自的對應(yīng)勢阱將合并在一起，原來在第二個電極下的電荷變?yōu)檫@兩電極下勢阱所共有。若此后電極上的電壓變?yōu)槿鐖D(d)所示，第二個電極電壓由10V變?yōu)?V，第三個電極電壓仍為10V，則共有的電荷將轉(zhuǎn)移到第三個電極下面的勢阱中，如圖(e)歷示。可見深勢阱及電荷包向右移動了一個位置。

    通過將一定規(guī)則變化的電壓加到CCD各電極上，電極下的電荷包就能沿半導(dǎo)體表面按一定的方向移動。通常把CCD電極分為幾組，每一組稱為一相，并施加同樣的時鐘。CCD的內(nèi)部結(jié)構(gòu)決定了使其正常工作所需的相數(shù)。另外，這里還必須強(qiáng)指出，CCD電極間隙必須很小，電荷才能不受阻礙地從一個電極轉(zhuǎn)移到相鄰電極。