(1)清洗硅基底基片，采用射CNB1002005AU頻磁空濺射工藝方法在基片上沉積150nm的Si3N。，500nm的Si02薄膜作為熱隔離層，然后在Si3N。/Si0：上沉積Ti和Pt層；

   (2)在上電極上采用3600rpm/min旋涂30s，形成PT/PZT~ PZT/PT多層薄膜層，采取前所述的方法實(shí)現(xiàn)0. 55l.t,m的多層薄膜結(jié)構(gòu)；

   (3)等離子腐蝕法光刻圖形化PT/PZT~ PZT/PT多層薄膜；

   (4)采用蒸鍍工藝技術(shù)，制作150nm的Pt薄膜層和80nm的Ti薄膜層在薄膜層上；

   (5)光刻制作焊接區(qū)；在純N：氣室內(nèi)、150Pa壓力情況下，蒸鍍150nm的金黑吸收層，在丙酮中剝離不需要的金屬區(qū)，形成紅外敏感檢測(cè)區(qū)域；

   (6)光刻硅基底敏感元件的背面，采用BOE深浸蝕5h制作硅基底微橋結(jié)構(gòu)；

   (7)把敏感元件與外部輸出電路進(jìn)行連接，然后真空封裝入T0-5型金屬殼體內(nèi)。

   制作的紅外薄膜型探測(cè)器主要由PT/PZT~PZT/PT薄膜敏感元件、JFET場(chǎng)效應(yīng)晶體管、窄帶濾光片、47kQ電阻以及輸出電路等組成，這些被真空封裝在T0-5型金屬殼體內(nèi)，原理結(jié)構(gòu)圖如圖3-12所示。