由于高溫促使無器件內(nèi)部或表面的化學(xué)反應(yīng)加速，使早期失效的元器件提前失效，CPC1231N從而暴露出早期失效產(chǎn)品。如果在集成電路封裝的管殼內(nèi)含有水汽或各種有害氣體，或者芯片表面不清潔，或者在鍵合處存在各種不同的金屬成分等，都會(huì)產(chǎn)生化學(xué)反應(yīng)，高溫儲(chǔ)存可加速這些反應(yīng)。它是通過熱應(yīng)力來加速儲(chǔ)存壽命的篩選試驗(yàn)，該種篩選方法的最大優(yōu)點(diǎn)是操作簡(jiǎn)單易行，可以大批量進(jìn)行，而且篩選效果也比較好，投資又少，因而它是最便宜的一種試驗(yàn)，并且是目前比較普遍采用的篩選試驗(yàn)。

   高溫儲(chǔ)存溫度，對(duì)于硅器件而膏，金一鋁系統(tǒng)一般選用150℃，鋁一鋁系統(tǒng)選用200℃，金一金系統(tǒng)選用300℃，儲(chǔ)存時(shí)間則一般為24～168小時(shí)。

   高溫工作篩選

   高溫工作篩選一般有高溫直流靜態(tài)、高溫交流動(dòng)態(tài)和高溫反偏三種篩選方法，對(duì)于剔除器件表面、體內(nèi)和金屬化系統(tǒng)存在的潛在缺陷引起的失效十分有效。高溫反偏是在高溫下加反偏工作電壓的試驗(yàn)。它是在熱電應(yīng)力的共同作用下進(jìn)行的，與實(shí)際工作狀態(tài)很接近，所以比高溫儲(chǔ)存篩選的效果好。