溫度循環(huán)可以加速因材料之間熱不匹配效應(yīng)所造成的失效，芯片組裝、鍵合、CPC5622ATR封裝以及在氧化層上的金屬化膜等潛在缺陷都可以通過溫度循環(huán)進(jìn)行篩選。溫度循環(huán)篩選的典型條件是- 55～155℃或-65～200℃進(jìn)行3次或5次循環(huán)。每循環(huán)一次，在最高或最低的溫度下各保持30分鐘，轉(zhuǎn)穆時(shí)間為15分鐘。試驗(yàn)后進(jìn)行交直流電參數(shù)測(cè)試。熱沖擊篩選是判定溫度急劇變化的集成電路強(qiáng)度的有效方法，例如，設(shè)有100℃和0℃兩個(gè)水槽，在高溫槽浸15秒后取出，在3秒內(nèi)移入低溫槽至少浸5秒，再于3秒內(nèi)移入高溫槽，如此往復(fù)操作5次。

   以上的兩個(gè)篩選試驗(yàn)，也有時(shí)統(tǒng)稱為環(huán)境應(yīng)力篩選。環(huán)境應(yīng)力篩選主要用于挑剔對(duì)環(huán)境適應(yīng)性差的產(chǎn)品，如在高低溫環(huán)境下，由于熱脹冷縮產(chǎn)生的應(yīng)力易于造成元器件的失效，可以采用溫度沖擊的篩選方法將其剔除。同時(shí)，對(duì)于熱脹冷縮性能和溫度系數(shù)不匹配的各種材料，也有很好的篩選作用。機(jī)械應(yīng)力（如振動(dòng)、沖擊、離心等）篩選，易于挑出結(jié)構(gòu)、焊接、封裝等存在潛在裂紋、缺陷的元器件，但往往容易對(duì)好產(chǎn)品產(chǎn)生新的隱患，因此對(duì)于其篩選應(yīng)力的大小選擇要尤其注意。同時(shí)，不一定要采用100%檢驗(yàn)，可以抽樣進(jìn)行，而且只對(duì)機(jī)械應(yīng)力有特殊要求的產(chǎn)品進(jìn)行這些項(xiàng)目的篩選。

   必須指出，各制造廠或使用單位并非對(duì)上述各篩選試驗(yàn)項(xiàng)目都要進(jìn)行，也不是所有出廠的元器件都要進(jìn)行100%的篩選試驗(yàn)。特別是對(duì)一些帶有破壞性的試驗(yàn)項(xiàng)目，只采用抽樣方式進(jìn)行。在實(shí)際選用時(shí)，主要根據(jù)實(shí)際產(chǎn)品有關(guān)的失效模式和機(jī)理，結(jié)合可靠性的要求、實(shí)際使用條件，似及工藝結(jié)構(gòu)情況，在標(biāo)準(zhǔn)規(guī)范未形成前由制造單位和使用單位協(xié)商確定�，F(xiàn)在實(shí)際用得較多的篩選項(xiàng)目不一定表示篩選效果最佳，而是從設(shè)備條件、經(jīng)濟(jì)以及操作方面考慮。對(duì)一些可靠性要求高的產(chǎn)品，大多采用目視檢查、高溫儲(chǔ)存、高溫功率老化、溫度循環(huán)、離心加速、檢漏以及電測(cè)試等項(xiàng)目進(jìn)行篩選，且采用100%的篩選試驗(yàn)。例如，美國(guó)先鋒號(hào)衛(wèi)星計(jì)劃用的某集成電路的篩選項(xiàng)目如表3. 11所示。