在小晶粒和大晶粒交接處也會出現(xiàn)這種情況，晶粒由小變大處形成小丘，反之， LC6554H-4694則出現(xiàn)空洞。特別是在整個晶粒占據(jù)整個條寬時，更易出現(xiàn)斷條，所以膜中晶粒尺寸宜均勻。

   互連線上覆蓋介質膜（鈍化層）后，不僅可防止鋁條的意外劃傷，防止腐蝕及離子沾污，也可提高其抗電遷移及電浪涌的能力。介質膜能提高抗電遷移的能力，是因為其表面覆蓋有介質時可降低金屬離子從體內(nèi)向表面運動的概率，抑制表面擴散，也降低晶體內(nèi)部肖特基空位濃度。另外，表面的介質膜可作為熱沉使金屬條自身產(chǎn)生的焦耳熱能從布線的雙面導出，降低金屬條的溫升及溫度梯度。

   鋁中參入Cu、Si等少量雜質時，硅在鋁中溶解度低，大部分硅原子在晶粒邊界處沉積，且硅原子半徑比鋁大，降低了鋁離子沿晶界的擴散作用，能提高鋁的抗電遷移能力。但是當布線進入亞微米量級時，絨條很細，雜質在晶界處聚集使電阻率提高，產(chǎn)生電流擁擠效應，這是一個新問題。

   電遷移討論中多針對電流是穩(wěn)定直流的情況，實際電路中的電流可是交流或處于脈沖工作狀態(tài)，此時其tMTF的預計值可根據(jù)電流密度的平均值，及電流密度絕對值來計算。