靜電放電損傷
發(fā)布時(shí)間:2015/6/25 21:11:47 訪問(wèn)次數(shù):620
微電子器件在加工生產(chǎn)、組裝、儲(chǔ)存及運(yùn)輸過(guò)程中,可能與帶靜電的容器、HCPL-M454測(cè)試設(shè)備及操作人員相接觸,所帶靜電經(jīng)過(guò)器件引線放電到地,使器件受到損傷或失效,這就叫靜電放電電損傷( ESD)。它對(duì)各類器件都有損傷,而MOS器件特別敏感。
靜電的來(lái)源
通常物體上所帶正、負(fù)電荷相等而呈電中性,因某種原因使物體上電荷發(fā)生轉(zhuǎn)移時(shí),物體即變成帶電體。所帶電荷被絕緣體隔離起來(lái)不能與異性電荷相中和稱為靜電。靜電產(chǎn)生的方法很多。最普通即兩種物體相互摩擦(多次的緊密接觸和分離過(guò)程)而帶電;導(dǎo)體或電介質(zhì)在靜電場(chǎng)產(chǎn)生靜電感應(yīng)而帶電,固體、流體及氣體物質(zhì)在相對(duì)運(yùn)動(dòng)、摩擦、擠壓、研磨等過(guò)程中也可帶電。人在活動(dòng)過(guò)程中,衣服、鞋以及所戴用具均可因摩擦或解除一分離
過(guò)裎而產(chǎn)生靜電。如穿塑料鞋在化纖地毯上行走時(shí),人體靜電電壓可達(dá)近萬(wàn)伏(與當(dāng)時(shí)空氣的相對(duì)濕度有關(guān))。靜電電壓U是由帶電體所帶電荷量Q與其對(duì)地電容cco=cu)而決定的。一般電荷量較小,但對(duì)地電容也很小,所以靜電電位可以很高。靜電的特征是電壓高及電荷量小。
微電子器件在加工生產(chǎn)、組裝、儲(chǔ)存及運(yùn)輸過(guò)程中,可能與帶靜電的容器、HCPL-M454測(cè)試設(shè)備及操作人員相接觸,所帶靜電經(jīng)過(guò)器件引線放電到地,使器件受到損傷或失效,這就叫靜電放電電損傷( ESD)。它對(duì)各類器件都有損傷,而MOS器件特別敏感。
靜電的來(lái)源
通常物體上所帶正、負(fù)電荷相等而呈電中性,因某種原因使物體上電荷發(fā)生轉(zhuǎn)移時(shí),物體即變成帶電體。所帶電荷被絕緣體隔離起來(lái)不能與異性電荷相中和稱為靜電。靜電產(chǎn)生的方法很多。最普通即兩種物體相互摩擦(多次的緊密接觸和分離過(guò)程)而帶電;導(dǎo)體或電介質(zhì)在靜電場(chǎng)產(chǎn)生靜電感應(yīng)而帶電,固體、流體及氣體物質(zhì)在相對(duì)運(yùn)動(dòng)、摩擦、擠壓、研磨等過(guò)程中也可帶電。人在活動(dòng)過(guò)程中,衣服、鞋以及所戴用具均可因摩擦或解除一分離
過(guò)裎而產(chǎn)生靜電。如穿塑料鞋在化纖地毯上行走時(shí),人體靜電電壓可達(dá)近萬(wàn)伏(與當(dāng)時(shí)空氣的相對(duì)濕度有關(guān))。靜電電壓U是由帶電體所帶電荷量Q與其對(duì)地電容cco=cu)而決定的。一般電荷量較小,但對(duì)地電容也很小,所以靜電電位可以很高。靜電的特征是電壓高及電荷量小。
上一篇:抑制閂鎖效應(yīng)的方法
上一篇:損傷機(jī)理與部位
熱門(mén)點(diǎn)擊
- 艾林( Eyring)模型是從量子力學(xué)推導(dǎo)出
- 浴盆曲線
- 光柵刻線數(shù)
- 中等分辨率成像光譖儀( MERIS)
- 不直度的測(cè)量
- 可靠度是可靠性的概率表示
- 參數(shù)漂移或阻值超差
- 實(shí)際的抽樣特性曲線
- 探測(cè)器的噪聲
- 載波和調(diào)制
推薦技術(shù)資料
- 泰克新發(fā)布的DSA830
- 泰克新發(fā)布的DSA8300在一臺(tái)儀器中同時(shí)實(shí)現(xiàn)時(shí)域和頻域分析,DS... [詳細(xì)]
- 110-V 1.3-MHz超精
- 雙向650kHz精密電流感應(yīng)放
- 集成 24 位 Delta-Sigma 模/
- 第三代RX CPU內(nèi)核R
- 32 位高性能/高效能 MCU
- 新品RAA271084-B (
- 多媒體協(xié)處理器SM501在嵌入式系統(tǒng)中的應(yīng)用
- 基于IEEE802.11b的EPA溫度變送器
- QUICCEngine新引擎推動(dòng)IP網(wǎng)絡(luò)革新
- SoC面世八年后的產(chǎn)業(yè)機(jī)遇
- MPC8xx系列處理器的嵌入式系統(tǒng)電源設(shè)計(jì)
- dsPIC及其在交流變頻調(diào)速中的應(yīng)用研究