碳膜電阻器的失效分析可以采用非破壞性檢測和破壞性解剖分析兩類方法。FBMH2012HM800-T非破壞性檢測主要有：外觀檢查、X射線檢驗、電性能測量等。破壞性解剖分析是檢測電阻體內(nèi)的構(gòu)和缺陷，從而正確地確定失效原因：以便從根本上改進產(chǎn)品質(zhì)量和可靠性指標。

   (1)失效分析方法及程序

   碳膜電阻器的失效分析方法與產(chǎn)品的失效模式和失效機理密切有關(guān)。表5.2列出碳膜電阻器對應(yīng)于不同失效模式和失效機理的失效分析方法及其程序。

   表5.2中的單字母符號代表不同的失效機理，其中，A是雜質(zhì)污染；B是引線脫落；C是電阻體破裂；D是陶瓷基體破裂；E是金屬端頭脫落；F是刻槽損傷；G是金屬帽蓋裝配不當(dāng)；H是電阻軌道氧化物還原；I是電阻體截面過��；J是靜電作用；K是引線電鍍質(zhì)

量差；L是引線破裂。

   表5 2碳膜電阻器的失效分析方法及程序

    “分析內(nèi)容”的含義包括幾個方面。其中，Ml：記錄所有鑒定標志和外部損傷（一般照相）；M2:如果使用固定聚焦射線照相，則應(yīng)在相互關(guān)聯(lián)的兩正交面上進行，以便能記錄電阻器的任意內(nèi)在缺陷，如果使用光導(dǎo)攝像，則按所觀察到的情況進行鑒定和記錄；M3：在規(guī)定溫度（室溫和臨界高、低溫）下測量，記錄阻值；M4：進行小沖擊試驗，記錄阻值最大變化（比較試驗，即其試驗結(jié)果與好的基體在同等條件下的試驗結(jié)果相比較）；M5:在規(guī)定溫度條件下測量阻值并記錄阻值變化；M6：去除電阻體外表涂層或外殼，在顯微鏡下觀察或照相等，解剖分析時必須小心，勿使重要的缺陷漏掉或被破壞；M7：可結(jié)合破壞性分析技術(shù)一起

進行；M8：要求鑒定失效部位，進行耐溫、振動、溫度循環(huán)和短時過負荷試驗。