當(dāng)使用集成度較高的門(mén)電路芯片時(shí)
發(fā)布時(shí)間:2015/7/6 20:51:03 訪問(wèn)次數(shù):1023
當(dāng)使用集成度較高的門(mén)電路芯片時(shí),如“二輸入端四與非門(mén)”、“六反相器”等,有可DS1805Z-010能出現(xiàn)閑置不用的門(mén)電路。這時(shí),應(yīng)使這些不用的門(mén)電路處于截止?fàn)顟B(tài),以便減少整個(gè)電路的功耗,有助于提高系統(tǒng)的可靠性。應(yīng)將閑置“與非”門(mén)、“與或非”門(mén)或反相門(mén)的所有輸入端接地。前述其他“與非”門(mén)不使用的輸入端可接到該門(mén)的輸出端上,如圖7. 2c所示。
對(duì)于大多數(shù)的TTL電路,如果加上具有非常緩慢的上升沿和下降沿的波形,則在其輸出端容易出現(xiàn)不穩(wěn)定的振蕩現(xiàn)象。因此,TTL電路的上升和下降時(shí)間不能過(guò)長(zhǎng)。作為一般要求,構(gòu)成邏輯電路時(shí),該時(shí)間不能長(zhǎng)于1 )11S;時(shí)序電路的時(shí)鐘脈沖輸入時(shí),不長(zhǎng)
于150ns。如果不得不在輸入端延長(zhǎng)上升或下降時(shí)間的信號(hào),則應(yīng)接入施密特電路,經(jīng)過(guò)波形整形之后,再輸入TTL電路.
為了防止浪涌電壓對(duì)TTL電路造成的破壞,可加圖7.3所示的保護(hù)電路。在圖7.3a中,二極管VD,用來(lái)防止輸入電壓超過(guò)電源電壓Vcc,電容器Cl用來(lái)吸收電源線上的高頻瞬變電壓。在圖7. 3b中,二極管VD,和VD2把正向輸入電壓限制在Vcc以下,并使負(fù)輸入電壓接地;二極管VD3防止輸出電壓降到地線電壓;電容器C.同樣用來(lái)吸收電源線上的高頻瞬變電壓。這里使用的三個(gè)保護(hù)二極管VD,、VDz和VD3最好采用瞬變電壓抑制二極管。
當(dāng)使用集成度較高的門(mén)電路芯片時(shí),如“二輸入端四與非門(mén)”、“六反相器”等,有可DS1805Z-010能出現(xiàn)閑置不用的門(mén)電路。這時(shí),應(yīng)使這些不用的門(mén)電路處于截止?fàn)顟B(tài),以便減少整個(gè)電路的功耗,有助于提高系統(tǒng)的可靠性。應(yīng)將閑置“與非”門(mén)、“與或非”門(mén)或反相門(mén)的所有輸入端接地。前述其他“與非”門(mén)不使用的輸入端可接到該門(mén)的輸出端上,如圖7. 2c所示。
對(duì)于大多數(shù)的TTL電路,如果加上具有非常緩慢的上升沿和下降沿的波形,則在其輸出端容易出現(xiàn)不穩(wěn)定的振蕩現(xiàn)象。因此,TTL電路的上升和下降時(shí)間不能過(guò)長(zhǎng)。作為一般要求,構(gòu)成邏輯電路時(shí),該時(shí)間不能長(zhǎng)于1 )11S;時(shí)序電路的時(shí)鐘脈沖輸入時(shí),不長(zhǎng)
于150ns。如果不得不在輸入端延長(zhǎng)上升或下降時(shí)間的信號(hào),則應(yīng)接入施密特電路,經(jīng)過(guò)波形整形之后,再輸入TTL電路.
為了防止浪涌電壓對(duì)TTL電路造成的破壞,可加圖7.3所示的保護(hù)電路。在圖7.3a中,二極管VD,用來(lái)防止輸入電壓超過(guò)電源電壓Vcc,電容器Cl用來(lái)吸收電源線上的高頻瞬變電壓。在圖7. 3b中,二極管VD,和VD2把正向輸入電壓限制在Vcc以下,并使負(fù)輸入電壓接地;二極管VD3防止輸出電壓降到地線電壓;電容器C.同樣用來(lái)吸收電源線上的高頻瞬變電壓。這里使用的三個(gè)保護(hù)二極管VD,、VDz和VD3最好采用瞬變電壓抑制二極管。
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