非晶硅太陽能電池是發(fā)展最完整的薄膜式太陽能電池，其結(jié)構(gòu)通常為PiN（或NiP）形，p層跟N層主要用于建立內(nèi)部電場，i層則由非晶系硅構(gòu)成。 M64074GP由于非晶系硅具有高的光吸收能力，因此i層厚度通常只有0,2～0.5 Um。其禁帶寬度范圍為1.1～1.7eV，不同于晶圓硅的l.leV，非晶物質(zhì)不同于結(jié)晶物質(zhì)，結(jié)構(gòu)均一度低，因此電子與空穴在材料內(nèi)部傳導(dǎo)，如距離過長，兩者重合幾率極高，為避免此現(xiàn)象發(fā)生，i層不宜過厚，但如太薄，又易造成吸光不足。為克服此問題，此類型太陽能電池采月多層結(jié)構(gòu)堆棧方式設(shè)計，以兼顧吸光與光電效率。

   非晶硅薄膜太陽能電池的制備方法有很多，其中包括反應(yīng)濺射法、PECVD法、LPCVD法等，反應(yīng)原料氣體為H2稀釋的SiH4，襯底主要為玻璃及不銹鋼片，制成的非晶硅薄膜經(jīng)過不同的太陽能電池工藝過程可分別制得單結(jié)太陽能電池和疊層太陽能電池。

   非晶硅太陽能電池一般是用高頻輝光放電等方法使硅烷( SiH4)氣體分解沉積而成的，由于分解沉積溫度低（200℃左右），因此制作時能量消耗少，成本比較低，且這種方法適于大規(guī)模生產(chǎn)，單片太陽能電池面積可以做得很大（如0.5m×l.Om），整齊美觀。