(1)檢測發(fā)射管選擇500型萬用表的R×100擋，按照圖13 -15所示電路測量發(fā)射管正向電阻為1. 92kC2，對應于n'=33格，因此VF—0.03n’-0. 03×33 -0. 99V。交換表筆后再測反向電阻為無窮大。

   (2)檢測接收管  GD16578將黑表筆接B極，紅表筆依次接C極、E極，電阻值分別為820Q（n'=22.5格），850\0（n2'= 23格）。由此計算出VBC=0.03n'=0. 675V，VBE—0.03712 7—0. 69V，證明接收管為硅管。另測C-E極間電阻為無窮大，說明ICEO一0。

   將4N35插在面包板上，測得RB =lOOk,0，實測^FE一305，證明接收管的放大能力比較強。

   (3)測量絕緣電阻首先用R×lok擋測量1-6腳、2-4腳之間的絕緣電阻均為無窮大。然后用ZC11-5型兆歐表(額定電壓2500V)測得絕緣電阻大于10000MCl,（即l010Q），證明被測4N35質量良好。

   達林頓型光電耦合器中的接收管矗FE值可達幾千。例如實測4N30犁光電耦合器，FE一2250。根據這一點可區(qū)分通用型與達標頓型光電耦合器。