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半導(dǎo)體器件的參數(shù)容差設(shè)置

發(fā)布時(shí)間:2015/8/24 21:10:11 訪問次數(shù):995

   PSpice A/D中的半導(dǎo)體器件模型參數(shù)的設(shè)置方法與電阻情況類似。例如圖4.3.2電路中,BS62LV8007EC-70為晶體管40237的模型參數(shù)設(shè)置容差參數(shù),可以先選中晶體管,單擊鼠標(biāo)右鍵選擇快捷菜單中的“Edit PSpice Model”子命令,屏幕上出現(xiàn)晶體管的模型參數(shù)描述。若要為晶體管的電流放大倍數(shù)Bf設(shè)置10%的容差,只要將模型參數(shù)描述中的Bf=288.5一項(xiàng)改為Bf=288.5Dev=10%即町。

   蒙特卡羅分析參數(shù)設(shè)置

   除了元器件容差參數(shù)以外,蒙特卡羅分析中需要設(shè)置的參數(shù)都是在分析參數(shù)設(shè)置對(duì)話框中完成的。下面結(jié)合圖4.3.2中的共射放大電路,說明蒙特卡羅分析工具的基本方法。

   器件容差設(shè)置:根據(jù)上面設(shè)置容差的方法,將共射放大電路中的電阻均改為BREAKOUT庫中的Rbreak,并按圖4.3.24所示設(shè)置它們的容差,晶體管40237的電流放大倍數(shù)設(shè)置10%的Dev容差模式。

     

    

   PSpice A/D中的半導(dǎo)體器件模型參數(shù)的設(shè)置方法與電阻情況類似。例如圖4.3.2電路中,BS62LV8007EC-70為晶體管40237的模型參數(shù)設(shè)置容差參數(shù),可以先選中晶體管,單擊鼠標(biāo)右鍵選擇快捷菜單中的“Edit PSpice Model”子命令,屏幕上出現(xiàn)晶體管的模型參數(shù)描述。若要為晶體管的電流放大倍數(shù)Bf設(shè)置10%的容差,只要將模型參數(shù)描述中的Bf=288.5一項(xiàng)改為Bf=288.5Dev=10%即町。

   蒙特卡羅分析參數(shù)設(shè)置

   除了元器件容差參數(shù)以外,蒙特卡羅分析中需要設(shè)置的參數(shù)都是在分析參數(shù)設(shè)置對(duì)話框中完成的。下面結(jié)合圖4.3.2中的共射放大電路,說明蒙特卡羅分析工具的基本方法。

   器件容差設(shè)置:根據(jù)上面設(shè)置容差的方法,將共射放大電路中的電阻均改為BREAKOUT庫中的Rbreak,并按圖4.3.24所示設(shè)置它們的容差,晶體管40237的電流放大倍數(shù)設(shè)置10%的Dev容差模式。

     

    

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