固態(tài)器件的制造有IRFR220NPBF以下5個(gè)不同的階段（見圖1. 16）．，

  1．材料準(zhǔn)備

  2．晶體生長(zhǎng)和晶圓準(zhǔn)備

  3．晶圓制造和分選

  4．封裝  ．

  5．終測(cè)

  在第一個(gè)階段，材料準(zhǔn)備（見第2章）是半導(dǎo)體材料的開采并根據(jù)半導(dǎo)體標(biāo)準(zhǔn)進(jìn)行提純。硅以沙子為原料，通過轉(zhuǎn)化可成為具有多晶硅結(jié)構(gòu)的純凈硅。

   在第二個(gè)階段，材料首先形成帶有特殊電子和結(jié)構(gòu)參數(shù)的晶體。之后，在晶體生長(zhǎng)和晶圓準(zhǔn)備（見第3章）工藝中，晶體被切割成稱為晶圓( wafer)的薄片，并進(jìn)行表面處理[見圖1．16(b)]。另外半導(dǎo)體工業(yè)也用鍺和不同半導(dǎo)體材料的混合物來制作器件與電路。