第三個(gè)階段是晶圓制造，也就是在其表面上形成器件或IRFR420TR集成電路在每個(gè)晶圓f：通常呵形成200~300個(gè)同樣的器件，也可多至幾千個(gè)。在晶圓上由分立器件或集成電路占據(jù)的區(qū)域稱為芯片。晶圓制造也可稱為制造、F'ab、芯片制造或是微芯片制造。晶圓的制造有幾千個(gè)步驟，它們叮分為兩個(gè)主要部分：前端工藝線( FEOL)是晶體管和其他器件在晶圓表面上形成的；后端工藝線( BEOL)是以金屬線把器件連在一起并加一層最終保層、遵循晶圓制造過(guò)程，晶圓上的芯片已經(jīng)完成，但是仍舊保持晶圓形式并未經(jīng)測(cè)試。步每個(gè)芯片都需要進(jìn)行電測(cè)（稱為晶圓電測(cè)）來(lái)檢測(cè)是否符合客戶的要求，．晶圓電測(cè)是晶圓制造的最后一步或是封裝( packaging)的第一步。

   封裝是通過(guò)一系列過(guò)程把晶圓上的芯片分割開(kāi)，然后將它們封裝起來(lái)[見(jiàn)圖1. 16(d)卜這個(gè)階段還包括與客戶規(guī)范要求一致的j吝片最終測(cè)試。工業(yè)界也把這一階段稱為裝配和測(cè)試( assembly dnd test，A/rr)。封裝起到保護(hù)芯片免于污染和外來(lái)傷害的作用，并提供堅(jiān)吲耐用的電氣引腳以和電路板或電子產(chǎn)品相連。封裝由半導(dǎo)俸生產(chǎn)廠的另一個(gè)部門或是通常由國(guó)外的工廠來(lái)完成

   絕大多數(shù)的芯片是被封裝在單個(gè)管殼里。但是混合電路、多芯片模塊( MCM)或直接安裝在電路板上( COB)的形式正在日趨增加。集成電路是采用半導(dǎo)體技術(shù)在一個(gè)芯片L構(gòu)成的整個(gè)電路，混合電路是在陶瓷基片上將半導(dǎo)體器件（分立器件和集成電路）、厚膜或薄膜電阻，以及導(dǎo)線和其他電子元件組合起來(lái)的形式，這些技術(shù)將在第18章中解釋、