最終的拋光步驟是一個化掌腐蝕和機械摩擦的結(jié)合，被稱為化學機械拋光( CMP)。晶圓MC9S12H128VFV裝在旋轉(zhuǎn)的拋光頭上，下降到拋光墊的表面以相反的方向旋轉(zhuǎn)。拋光墊材料通常是有填充物的聚亞安酯鑄件切片或聚氨酯涂層的無紡布。二氧化硅拋光液懸浮在適度含氫氧化鉀或氨水的腐蝕液中，滴到拋光墊上。

   堿性拋光液在晶圓表面生成一薄層二氧化硅。拋光摯以持續(xù)的機械摩擦作用去除氧化物，晶圓表面的高點被去除掉，直到獲得特別平整的表面。如果一個半導體晶圓的表面擴大到10 000英尺（3048 m-飛機場跑道的長度），在總長度中將會有正負2英寸的平整度偏差。

   獲得極好平整度需要規(guī)定和控制拋光時間、晶圓和拋光墊上的壓力、旋轉(zhuǎn)速度、拋光液顆粒尺寸、拋光液流速、拋光液的pH值、拋光墊材料和條件。

   化學機械拋光是制造大直徑晶圓的技術之一。在晶圓制造工藝中，新層的建立會產(chǎn)生不平的表面，使用CMP以平整晶體表面。在這個應用中，CMP被稱為化學機械平坦化(planari-zation)。具體CMP的使用將在第10章中解釋。