晶圓制造和封裝概述
發(fā)布時(shí)間:2015/10/25 17:12:00 訪問次數(shù):1285
本事將介紹4種基本晶圓制造I-藝,通過這些I:藝在晶圓內(nèi)和表面形成集成電路(lC)的JL器件’SD42560岜包括電路設(shè)計(jì)的啟動(dòng)活動(dòng)通過光掩模版和放大掩模版的制作。詳細(xì)描述r晶圓和卷片的特性和術(shù)語并用流程圖介紹建立一個(gè)簡單的半導(dǎo)體器件的步驟。
在晶圓制造過程的最終,具有功能的芯片進(jìn)入到封裝階段?從裸芯片直接安裝在電路板f:到多一醛片堆疊在同一個(gè)管殼內(nèi),有很多選擇和加'I'方法。,給出f基本的步驟和方案選擇4.2 晶圓生產(chǎn)的目標(biāo)芯片的制造分為原料制作、單晶生長和晶圓的制造、集成電路晶圓的生產(chǎn)和集成電路的封裝階段、前兩個(gè)階段已經(jīng)在第3章涉及。本章講述的是第3個(gè)階段,集成電路晶圓牛產(chǎn)的基礎(chǔ)知識(shí)第5章至第14章覆蓋專門的制造工藝和技術(shù),、詳細(xì)的晶圓電特性分揀和封裝將在第18章中介紹.
集成電路晶圓生產(chǎn)( wafer fabrication)是在晶圓表面上和表面內(nèi)制造出半導(dǎo)體器件的·系列乍產(chǎn)過程整個(gè)制造過程從硅單晶拋光片開始,到晶圓卜包含r數(shù)以百計(jì)的集成電路芯片(見[t4.1).
本事將介紹4種基本晶圓制造I-藝,通過這些I:藝在晶圓內(nèi)和表面形成集成電路(lC)的JL器件’SD42560岜包括電路設(shè)計(jì)的啟動(dòng)活動(dòng)通過光掩模版和放大掩模版的制作。詳細(xì)描述r晶圓和卷片的特性和術(shù)語并用流程圖介紹建立一個(gè)簡單的半導(dǎo)體器件的步驟。
在晶圓制造過程的最終,具有功能的芯片進(jìn)入到封裝階段?從裸芯片直接安裝在電路板f:到多一醛片堆疊在同一個(gè)管殼內(nèi),有很多選擇和加'I'方法。,給出f基本的步驟和方案選擇4.2 晶圓生產(chǎn)的目標(biāo)芯片的制造分為原料制作、單晶生長和晶圓的制造、集成電路晶圓的生產(chǎn)和集成電路的封裝階段、前兩個(gè)階段已經(jīng)在第3章涉及。本章講述的是第3個(gè)階段,集成電路晶圓牛產(chǎn)的基礎(chǔ)知識(shí)第5章至第14章覆蓋專門的制造工藝和技術(shù),、詳細(xì)的晶圓電特性分揀和封裝將在第18章中介紹.
集成電路晶圓生產(chǎn)( wafer fabrication)是在晶圓表面上和表面內(nèi)制造出半導(dǎo)體器件的·系列乍產(chǎn)過程整個(gè)制造過程從硅單晶拋光片開始,到晶圓卜包含r數(shù)以百計(jì)的集成電路芯片(見[t4.1).
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