晶圓在發(fā)貨到客戶之前可以進(jìn)行氧化
發(fā)布時(shí)間:2015/10/24 19:30:27 訪問(wèn)次數(shù):873
晶圓在發(fā)貨到客戶之前可以進(jìn)行氧化。 MCCS142235FN氧化層用以保護(hù)晶圓表面,防止在運(yùn)輸過(guò)程中的劃傷和污染。許多公司從氧化開(kāi)始晶圓制造工藝,購(gòu)買有氧化層的晶圓就節(jié)省了一個(gè)生產(chǎn)步驟。氧化工藝將在第7章解釋。
盡管在生產(chǎn)高質(zhì)量和潔凈的晶圓方面付出了許多努力,但從包裝方法本身來(lái)說(shuō),在運(yùn)輸到客戶的過(guò)程中,這些品質(zhì)會(huì)喪失或變差。所以,對(duì)潔凈的和保護(hù)性的包裝有非常嚴(yán)格的要求。包裝材料是無(wú)靜電、不產(chǎn)生顆粒的材料,并且設(shè)備和操作丁要接地,放掉吸引小顆粒的靜電。晶圓包裝要在凈化間里進(jìn)行,、
晶圓的類型和用途
這砦過(guò)程是面向生產(chǎn)主晶圓( prime wafer)的,它們是晶圓制造工藝生產(chǎn)的芯片和電路的主角,此外,需要有不同類型的測(cè)試或監(jiān)控晶圓( test or monitor wafer)。這些都是用來(lái)代替昂貴的黃金晶片的監(jiān)測(cè)和評(píng)估的過(guò)程步驟的結(jié)果。這些是機(jī)械測(cè)試晶圓( mechanical test wafer)和一[藝試驗(yàn)晶圓( process test wafer)m。
機(jī)械測(cè)試晶圓被用于測(cè)試和驗(yàn)證設(shè)備的操作方面和處理系統(tǒng)。r藝試驗(yàn)片(也稱為監(jiān)控晶圓)與主晶圓和/或通過(guò)工藝模塊一起進(jìn)人工藝步驟。主晶圓不能用于測(cè)試和控制·個(gè)單一的工藝步驟的結(jié)果,,例如,在已經(jīng)有14層厚度的晶圓工藝中,測(cè)量第15層厚度是不可能的,因此,需要空白的r藝測(cè)試晶圓。
在工藝過(guò)程中有很多原因造成晶圓被廢棄,通常是因?yàn)椴环瞎に囈?guī)范、,假設(shè)它們沒(méi)有被物理地?fù)p壞,則可以被回收作為測(cè)試晶圓使用。使用化學(xué)與CMP相結(jié)合的方法,去除晶圓的頂層和頂部附加層。這將產(chǎn)生一個(gè)新的晶圓表面以適合于測(cè)試晶圓的使用。去層后,回收晶圓將通過(guò)與主晶網(wǎng)相同的晶圓清洗過(guò)程。
晶圓制造公司正要求晶圓加工商加大提供具有淀積頂層硅的晶圓,例如硅外延÷其他的晶圓產(chǎn)品包括在藍(lán)寶石或金剛石這樣的絕緣體上淀積硅(SOI和SOS)(見(jiàn)第12章)、
晶圓在發(fā)貨到客戶之前可以進(jìn)行氧化。 MCCS142235FN氧化層用以保護(hù)晶圓表面,防止在運(yùn)輸過(guò)程中的劃傷和污染。許多公司從氧化開(kāi)始晶圓制造工藝,購(gòu)買有氧化層的晶圓就節(jié)省了一個(gè)生產(chǎn)步驟。氧化工藝將在第7章解釋。
盡管在生產(chǎn)高質(zhì)量和潔凈的晶圓方面付出了許多努力,但從包裝方法本身來(lái)說(shuō),在運(yùn)輸到客戶的過(guò)程中,這些品質(zhì)會(huì)喪失或變差。所以,對(duì)潔凈的和保護(hù)性的包裝有非常嚴(yán)格的要求。包裝材料是無(wú)靜電、不產(chǎn)生顆粒的材料,并且設(shè)備和操作丁要接地,放掉吸引小顆粒的靜電。晶圓包裝要在凈化間里進(jìn)行,、
晶圓的類型和用途
這砦過(guò)程是面向生產(chǎn)主晶圓( prime wafer)的,它們是晶圓制造工藝生產(chǎn)的芯片和電路的主角,此外,需要有不同類型的測(cè)試或監(jiān)控晶圓( test or monitor wafer)。這些都是用來(lái)代替昂貴的黃金晶片的監(jiān)測(cè)和評(píng)估的過(guò)程步驟的結(jié)果。這些是機(jī)械測(cè)試晶圓( mechanical test wafer)和一[藝試驗(yàn)晶圓( process test wafer)m。
機(jī)械測(cè)試晶圓被用于測(cè)試和驗(yàn)證設(shè)備的操作方面和處理系統(tǒng)。r藝試驗(yàn)片(也稱為監(jiān)控晶圓)與主晶圓和/或通過(guò)工藝模塊一起進(jìn)人工藝步驟。主晶圓不能用于測(cè)試和控制·個(gè)單一的工藝步驟的結(jié)果,,例如,在已經(jīng)有14層厚度的晶圓工藝中,測(cè)量第15層厚度是不可能的,因此,需要空白的r藝測(cè)試晶圓。
在工藝過(guò)程中有很多原因造成晶圓被廢棄,通常是因?yàn)椴环瞎に囈?guī)范、,假設(shè)它們沒(méi)有被物理地?fù)p壞,則可以被回收作為測(cè)試晶圓使用。使用化學(xué)與CMP相結(jié)合的方法,去除晶圓的頂層和頂部附加層。這將產(chǎn)生一個(gè)新的晶圓表面以適合于測(cè)試晶圓的使用。去層后,回收晶圓將通過(guò)與主晶網(wǎng)相同的晶圓清洗過(guò)程。
晶圓制造公司正要求晶圓加工商加大提供具有淀積頂層硅的晶圓,例如硅外延÷其他的晶圓產(chǎn)品包括在藍(lán)寶石或金剛石這樣的絕緣體上淀積硅(SOI和SOS)(見(jiàn)第12章)、
熱門點(diǎn)擊
- 異丙醇( IPA)蒸氣蒸干法
- 直接型燈具
- 晶圓術(shù)語(yǔ)
- 垂直式反應(yīng)爐
- 電纜沿墻、橋體敷設(shè)要求
- EIA485 (RS485)
- PLC容量的選擇
- 晶圓參考面位置
- 封裝和最終測(cè)試良品率
- 燈具的配光曲線
推薦技術(shù)資料
- F28P65x C2000 實(shí)時(shí)微控制器
- ARM Cortex-M33 內(nèi)核̴
- 氮化鎵二極管和晶體管̴
- Richtek RT5716設(shè)
- 新一代旗艦芯片麒麟9020應(yīng)用
- 新品WTOLC-4X50H32
- 多媒體協(xié)處理器SM501在嵌入式系統(tǒng)中的應(yīng)用
- 基于IEEE802.11b的EPA溫度變送器
- QUICCEngine新引擎推動(dòng)IP網(wǎng)絡(luò)革新
- SoC面世八年后的產(chǎn)業(yè)機(jī)遇
- MPC8xx系列處理器的嵌入式系統(tǒng)電源設(shè)計(jì)
- dsPIC及其在交流變頻調(diào)速中的應(yīng)用研究