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晶圓術(shù)語(yǔ)

發(fā)布時(shí)間:2015/10/25 17:14:03 訪問(wèn)次數(shù):2938

  圖4.2列舉r+片成品晶圓。晶圓SD6701S表面各部分是:

  1.芯片( chip、die)、器件(device)、電路(circuit)、 微芯片(microchip)或條碼(bar):所有這些 名詞指的是在晶圓表面f與大部分面積的微芯 片圖形。

   2.劃片線( scribe line、saw line)或街區(qū)(street、avenue):這些區(qū)域是在晶圓}:用來(lái)分隔不同芯片之間的問(wèn)隔區(qū)。劃片線通常是空白的,但有砦公司在間隔區(qū)內(nèi)放置對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記,或測(cè)6試的結(jié)構(gòu)(參見(jiàn)光掩模版)。

   3.r程試驗(yàn)芯片(engineering die)和測(cè)試芯片( test die):這些芯片與正式器件芯片或電路芯片不同∥豈包括特殊的器件和電路模塊用4于對(duì)晶嘲生產(chǎn)l-藝的電性測(cè)試。

       

   4.邊緣芯片( edge die):在晶圓的邊緣上的一些

   掩膜殘缺不全的芯片而產(chǎn)生的面積損耗。由于單個(gè)芯片尺寸增大而造成的更多邊緣浪 費(fèi)會(huì)由采用更大直徑晶圓所彌補(bǔ)j推動(dòng)半導(dǎo)體工業(yè)向更大直徑品圓發(fā)展的動(dòng)力之一就是為r減少邊緣芯片所占的面積。

   5.晶圓的晶面( wafer crystal plane):圖中的剖面標(biāo)示r器件下面的晶格構(gòu)造,.此圖中 示的器件邊緣與品格構(gòu)造的方向是確定的。

   6.晶圓定位邊( wafer flats)/凹槽(notche):例如圖示的晶圓有主定位邊(major flat)和副定位邊( min.”flat),表示這是一個(gè)P型(100>晶向的晶圓(參見(jiàn)第3章的定位邊代碼)。300 mm和450 mm直徑的晶圓都是用凹槽作為晶格導(dǎo)向的標(biāo)識(shí)。這些定位邊和凹槽在一些晶圓生產(chǎn)工藝中還輔助晶圓的套準(zhǔn)。

  圖4.2列舉r+片成品晶圓。晶圓SD6701S表面各部分是:

  1.芯片( chip、die)、器件(device)、電路(circuit)、 微芯片(microchip)或條碼(bar):所有這些 名詞指的是在晶圓表面f與大部分面積的微芯 片圖形。

   2.劃片線( scribe line、saw line)或街區(qū)(street、avenue):這些區(qū)域是在晶圓}:用來(lái)分隔不同芯片之間的問(wèn)隔區(qū)。劃片線通常是空白的,但有砦公司在間隔區(qū)內(nèi)放置對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記,或測(cè)6試的結(jié)構(gòu)(參見(jiàn)光掩模版)。

   3.r程試驗(yàn)芯片(engineering die)和測(cè)試芯片( test die):這些芯片與正式器件芯片或電路芯片不同∥豈包括特殊的器件和電路模塊用4于對(duì)晶嘲生產(chǎn)l-藝的電性測(cè)試。

       

   4.邊緣芯片( edge die):在晶圓的邊緣上的一些

   掩膜殘缺不全的芯片而產(chǎn)生的面積損耗。由于單個(gè)芯片尺寸增大而造成的更多邊緣浪 費(fèi)會(huì)由采用更大直徑晶圓所彌補(bǔ)j推動(dòng)半導(dǎo)體工業(yè)向更大直徑品圓發(fā)展的動(dòng)力之一就是為r減少邊緣芯片所占的面積。

   5.晶圓的晶面( wafer crystal plane):圖中的剖面標(biāo)示r器件下面的晶格構(gòu)造,.此圖中 示的器件邊緣與品格構(gòu)造的方向是確定的。

   6.晶圓定位邊( wafer flats)/凹槽(notche):例如圖示的晶圓有主定位邊(major flat)和副定位邊( min.”flat),表示這是一個(gè)P型(100>晶向的晶圓(參見(jiàn)第3章的定位邊代碼)。300 mm和450 mm直徑的晶圓都是用凹槽作為晶格導(dǎo)向的標(biāo)識(shí)。這些定位邊和凹槽在一些晶圓生產(chǎn)工藝中還輔助晶圓的套準(zhǔn)。

相關(guān)技術(shù)資料
10-25晶圓術(shù)語(yǔ)
相關(guān)IC型號(hào)
SD6701S
SD674

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