我們已經提及了硅很容易氧化。氧化反應可以在空氣中進行，或者是在有氧存在的加熱的化學品清洗池中進行。通常在清洗池中生成的氧化物， RT9167-18PB盡管很薄(100~ 200 A)但其厚度足以阻擋晶圓表面在其他工藝過程中發(fā)生正常的反應。這一層的氧化物可成為絕緣體，從而阻擋晶圓表面與金屬層之間良好的電接觸。

   去除這些薄的氧化層是很多工藝的需要。有一層氧化物的硅表面具有吸濕性( hydroscopic)．沒有氧化物的表面具有厭水性( hydrophobic)。氫氟酸(HF)是去除氧化物的首選酸。在初始氧化之前，當晶片表面只有硅時，將其放人盛有最強的氫氟酸(49%)的池中清洗。氫氟酸特氧化物去除，卻不刻蝕硅。

   在以后的工藝中，當晶圓表面覆蓋之前生成的氧化物時，用水和氫氟酸的混合溶液可將圓形孔隙中的薄氧化層去除。這些溶液的強度從100：1到10：7( H20:HF)變化．、對于強度的選擇依賴于晶圓上氧化物的多少，因為水和氫氟酸的溶液既呵將晶圓孔中的氧化物刻蝕掉，又可將表面其余部分的氧化物去除。既要保證將孔中的氧化物去除，同時又不會過分地刻蝕其他的氧化層，這就要求選擇一定的強度。典型的稀釋溶液是1:50到1：100。

   如何處理硅片表面的化學物質是一直以來清洗T藝所面臨的挑戰(zhàn)。一般地，柵氧化前的清洗用稀釋的氧氟酸溶液，并將其作為最后一步化學品的清洗，這叫做HF'結尾。HF結尾的表面足厭水性的，同時對低量的金屬污染是鈍化的。然而，厭水性的表面不輕易被烘f，經常殘留水印( watermark)。另一個問題是增強了顆的附著，而且還會使電鍍層脫離表面∞5；。