RCA清洗：在20世紀(jì)60年代中期，一名美RT9167-28PB國(guó)無(wú)線(xiàn)電公司(RCA)的工程師Wemer Kern開(kāi)發(fā)出廠(chǎng)一種兩步清洗工藝以去除晶片表面的有機(jī)和無(wú)機(jī)殘留物。這一工藝被證明非常有效，而它的配方也以簡(jiǎn)單的“RCA清洗”為人們所熟知”361。只要提到RCA清洗，就意味著過(guò)氧化氫與酸或堿同時(shí)使用。第一步，標(biāo)準(zhǔn)清洗一1（SC-1）應(yīng)用水，由過(guò)氧化氫和氨水的混合溶液組成，從5：1:1到7：2：1變化，加熱溫度在75℃~85℃之間。SC-1去除有機(jī)殘留

物，同時(shí)建立一種從晶圓表面吸附痕量金屬的條件。在工藝過(guò)程中，一層氧化膜不斷形成又分解。

   標(biāo)準(zhǔn)清洗一2（SC-2）應(yīng)用水、過(guò)氧化氫和鹽酸，按照6:1：1到8：2：1的比例混合溶液，其工作溫度為75。C—85℃之間。SC-2去除堿金屬離子、氫氧根及復(fù)雜的殘余金屬。它會(huì)在晶片表面留下一層保護(hù)性的氧化物�；瘜W(xué)溶液的原始濃度及其稀釋的混合液.

   多年來(lái)，RCA的配方被證實(shí)是經(jīng)久不衰的，至今仿是大多數(shù)爐前清洗的基本清洗工藝。隨著工業(yè)清洗的需求，化學(xué)品的純度也在不斷地進(jìn)行改進(jìn)。根據(jù)不同的應(yīng)用，SC-1和SC-2前后順序也可顛倒。如果晶片表面不允許有氧化物存在，則需加入氫氟酸清洗這一步，j它叮以放在SC-1和SC-2之前進(jìn)行，或者在兩者之間，或者在RCA清洗之后。

   在最初的清洗配方基礎(chǔ)上，曾有過(guò)多種改進(jìn)和變化。晶圓表面金屬離子的去除曾是一個(gè)問(wèn)題。這些離子存在于化學(xué)品中，并且不溶于大多數(shù)的清洗和刻蝕液中。通過(guò)加入一種螯合劑( chelating agent)，例如乙烯基二胺四乙酸(EDTA)，使其與這些離子結(jié)合，從而阻止它們再次沉積到晶圓E。

   稀釋的RCA溶液具有更多的用途。SC-1稀釋液的比例為1：1：50（而不是1:1:5），SC-2稀釋液的比例為1:1:60（而不是1:1:6）。這些溶液被證明具有與比它們更濃的溶液配方同樣的清洗效果。而且，它們產(chǎn)生較小的微觀(guān)上的粗糙，節(jié)約成本，同容易去除”l。、